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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MMBD4148-TP
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MMBD4148-TP

更新时间： 2024-09-29 12:28:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 198K
描述
350mW 100 Volt Silicon Epitaxial Diode

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MMBD4148-TP 数据手册

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M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
MMBD4148  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
•
•
·
Low Current Leakage  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
350mW 100 Volt  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Silicon Epitaxial Diode  
·
·
3
Moisture Sensitivity Level 1  
Pin Configuration  
Top View  
SOT-23  
A
1
2
D
Marking : KA2, A2  
B
C
Maximum Ratings  
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
•
•
F
E
Maximum Thermal Resistance; 357K/W Junction To Ambient  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
H
G
J
Reverse Voltage  
Peak Reverse  
Voltage  
VR  
75V  
VRM  
100V  
K
DIMENSIONS  
MM  
Average Rectified  
Current  
Power Dissipation  
Junction  
Temperature  
Peak Forward Surge  
Current  
IO  
150mA Resistive Load  
f > 50Hz  
350mW  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
PTOT  
TJ  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
150°C  
IFSM  
VF  
IR  
1A  
t=1s,Non-Repetitive  
F
G
H
J
Maximum  
.085  
.37  
K
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
.855V  
25nA  
IFM = 10mA;  
TJ = 25°C*  
Suggested Solder  
Pad Layout  
TJ = 25°C  
VR = 20 V  
.031  
.800  
.035  
.900  
Typical Junction  
Capacitance  
Reverse Recovery  
Time  
CJ  
Trr  
2pF  
4nS  
Measured at  
1.0MHz, VR=0V  
IF=10mA  
.079  
2.000  
inches  
mm  
VR = 6V  
RL=100Ω  
.037  
.950  
*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: B  
2013/01/01  
1234

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MMBD4148-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAV99-TP MCC

类似代替

 350mW 70Volt Dual Series Switching Diode
MMBD7000LT1G ONSEMI

功能相似

 Dual Switching Diode
BAS21LT1G ONSEMI

功能相似

 High Voltage Switching Diode

与MMBD4148-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD4148-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
MMBD4148TS PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD4148TS_09 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD4148TS_16 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD4148TS_R1_00001 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD4148TS_R2_00001 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD4148TS-AU PANJIT

获取价格

 		SOD-523
MMBD4148TS-G COMCHIP

获取价格

 		Surface Mount Switching Diodes
MMBD4148TU MCC

获取价格

 		Tape&Reel: 3Kpcs/Reel;
MMBD4148TW WILLAS

获取价格

 		SOT-363 Plastic-Encapsulate Diodes

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