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MKP9V160RLG

更新时间： 2024-01-05 21:42:46
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 数据判读及分析中心
页数 文件大小 规格书
6页 816K
描述
170V, DIAC, DO-41, LEAD FREE, CASE 59-10, 2 PIN

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MKP9V160RLG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：LEAD FREE, CASE 59-10, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73最大转折电压：170 V
最小转折电压：150 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-XALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：DIAC
Base Number Matches：1

MKP9V160RLG 数据手册

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MKP9V160  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
1.0  
T = 125°C  
T
J
Sine Wave  
L
3
3
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
Conduction Angle = 180°C  
/ ″  
8
/ ″  
8
Assembled in PCB  
3
T = 125°C  
J
Sine Wave  
Lead Length = / ″  
8
Conduction Angle = 180°C  
80  
70  
60  
50  
40  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8  
2.0  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
I
, ON−STATE CURRENT (AMPS)  
T , MAXIMUM AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
A
T(RMS)  
Figure 1. Maximum Lead Temperature  
Figure 2. Maximum Ambient Temperature  
10  
7.0  
5.0  
1.25  
1.00  
0.75  
0.50  
0.25  
T = 25°C  
Conduction Angle = 180°C  
J
3.0  
2.0  
T = 25°C  
J
125°C  
1.0  
0.7  
0.5  
0.3  
0.2  
0.1  
0
1.0  
2.0  
3.0  
4.0  
5.0  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
V , INSTANTANEOUS ON−STATE VOLTAGE (VOLTS)  
T
I
T(RMS)  
, ON−STATE CURRENT (AMPS)  
Figure 3. Typical On−State Voltage  
Figure 4. Typical Power Dissipation  
THERMAL CHARACTERISTICS  
1.0  
0.7  
0.5  
The temperature of the lead should be  
measured using a thermocouple placed on the  
lead as close as possible to the tie point. The  
thermal mass connected to the tie point is  
normally large enough so that it will not  
significantly respond to heat surges generated  
in the diode as a result of pulsed operation  
once steady−state conditions are achieved.  
0.3  
0.2  
Z
(t) = R • r(t)  
q
JL  
q
JL  
0.1  
DT = P  
JL  
where:  
R [r(t)]  
q
JL  
pk  
t
p
0.07  
0.05  
TIME  
DT = the increase in junction temperature above the  
JL  
lead temperature  
Using the measured value of T , the junction  
L
temperature may be determined by:  
0.03  
0.02  
r(t) = normalized value of transient thermal resistance at  
time, t from this figure. For example,  
r(t ) = normalized value of transient resistance at time t .  
T = T + DT  
JL  
J
L
p
p
0.01  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
5.0  
10  
20  
50  
100  
200  
500  
1.0 k 2.0 k  
5.0 k  
10 k  
t, TIME (ms)  
Figure 5. Thermal Response  
http://onsemi.com  
3
123456

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