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MIP2E9DMY

更新时间: 2022-12-03 10:49:23
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3页 216K
描述
电源集成块

MIP2E9DMY 数据手册

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MIP2E9DMY  
インテリジェントパワーデバイス(IPD)  
MIP2E9DMY  
シリコンMOS形集積回路  
特ꢀ長  
Unit : mm  
軽負  
荷時の消費電力を大幅に削  
4.5 0.2  
10.5 0.5  
9.5 0.2  
8.0 0.2  
各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能  
1.4 0.1  
用ꢀ途  
スイッチング電御用  
φ 3.7 0.2  
絶対最大定格 Ta = 25°C 3°C  
1.4 0.1  
2.5 0.2  
+0.1  
項目  
ドレイン電圧  
記号  
VD  
VC  
ID  
定格  
700  
10  
単位  
V
0.8 0.1  
0.6  
–0.2  
コントロール電圧  
出力電流  
V
2.54 0.3  
5.08 0.5  
5.2  
7.2  
0.1  
A
出力ピーク電流  
コントロール電流  
温度  
IDP  
IC  
A
1
2 3  
1 : Control  
2 : Source  
3 : Drain  
A
チャネル部  
Tch  
150  
°C  
TO-220-A1 Package  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +150  
°C  
形名表示記号 : MIP2E9DMY  
ブロック図  
起動 定電流�  
1
3
Control  
Drain  
供給�  
荷検出�  
タイマ�  
間欠動作回路�  
間欠発振  
エラーアンプ�  
過熱保護回路�  
再起動トリガ�  
S
Q
Q
ゲート� パワー�  
ドライバMOSFET  
R
発振器�  
Max Duty  
Clock  
Sawtooth  
S
Q
Q
オン時�  
V-I変換器�  
R
ブランキング�  
パルス発生回路�  
スロープ�  
補償�  
ドレイン電流�  
検出  
過電流�  
保護�  
2
Source  
発行年月 : 200311月  
SLB00071AJD  
1

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