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MIP2C10MP

更新时间： 2022-11-24 21:42:12

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MIP2C10MP

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MIP2C10MP 数据手册

インテリジェントパワーデバイス(IPD)

MIP2C10MP

シリコンMOS形集積回路

■ 特ꢀ長

Unit : mm

•

無負

従来品比 : 80%削減)

チャージャ回路に必要

荷時の消費電力を大幅に削減(100 VAC入力時 : 20 mW,

9.4 0.3

•

な保護機能内蔵

辺部点数を削減(当社従来比−12点)

周

品

■ 用ꢀ途

•

充電器(携帯電話用

ACアダプタ

ほか)

2.54 0.25

■ 絶対最大定格

1:V_DD

2:FB

3:CL

4:V_CC

5:Drain

項目

ドレイン電圧

V_CC電圧

記号

V_D

定格

単位

0.5 0.1

0.4 0.1

1.2 0.25

(2,3,7PIN)

0.6 0.1

700

(1,4,5,8PIN)

V_CC

V_DD

V_FB

V_CL

I_D

7:Source

8:Source

V_DD電圧

DIP8-A1(CF) Package

フィードバック電圧

CL端子電圧

ドレイン電流

チャネル温度

保存温度

350

形名表示記号 : MIP2C1

°C

T_ch

150

T_stg

−55 ∼ +150

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

コントロール機能

出力周波数

記号

f_OSC

条件

最小標準最大

単位

kHz

V_CC= 15 V, V_D= 5 V, FB: Open,

100

110

I_CL50 µA

f_OSC(L)

V_CC= 15 V, V_D= 5 V, FB: Open,

I_CL< I_CL1

最大デューティサイクル

MAXDC

V_DD

V_CC= 15 V, V_D= 5 V, FB: Open,

45.0

5.2

47.5

5.7

50.0

6.2

I_CL50 µA

V_DD基準電圧

V_CC= 15 V, V_D= 5 V, FB: Open,

I_CL50 µA

V_DD停止電圧

V_UV

V_CC(ON)

I_FB1

V_D= 5 V, FB: Open, I_CL= 50 µA

4.5

8.0

5.0

9.0

5.5

10.0

150

V_CC起動電圧

フィードバック電流

On → Off

120

µA

V_CC= 15 V, V_D= 5 V, I_CL= 50 µA

フィードバック電流ヒステリシス

I_FBHYS

V_CC= 15 V, V_D= 5 V, I_CL= 50 µA

2.0

µA

発行年月 : 2003年8月

SLB00049AJD

12 3

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