2N6770T1

更新时间： 2024-01-26 00:23:24

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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N-CHANNEL MOSFET

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2N6770T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-254AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6770T1 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/543

DEVICES

LEVELS

2N6770

2N6770T1

JAN

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

500

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

7.75

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

150 ⁽¹⁾

0.4 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 1.2 W/°C for T_C> +25°C

TO-204AA

(TO-3)

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 7.75A

2N6770

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

V_(BR)DSS

500

Vdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

Gate Current

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

Drain Current

_GS= 0V, V_DS= 400V

V_GS= 0V, V_DS= 400V, T_j= +125°C

TO-254AA

2N6770T1

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

Static Drain-Source On-State Resistance

_GS= 10V, I_D= 7.75A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.4

0.5

V_GS= 10V, I_D= 12A pulsed

T_j= +125°C

V_GS= 10V, I_D= 7.75A pulsed

r_DS(on)3

0.88

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 12A pulsed

V_SD

1.7

Vdc

T4-LDS-0044 Rev. 1 (072798)

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