生命周期: | Active | 包装说明: | DIP, DIP16,.3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.62 |
最长访问时间: | 150 ns | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T16 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | PAGE MODE DRAM |
内存宽度: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
最高工作温度: | 110 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 64KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP16,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 128 |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 子类别: | DRAMs |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | MOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MD2164A-20 | INTEL | Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, MOS, CDIP16 |
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MD218A | SITI | 130mA, 10Bit Current Sinking VCM Driver with I2C Interface |
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MD218B | SITI | 130mA, 10Bit Current Sinking VCM Driver with I2C Interface |
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MD2191 | RFHIC | Active Down Mixer |
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MD2193 | RFHIC | Active Down Mixer |
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MD2200 | ETC | Disk OnChip 2000 DIP |
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