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MD165A12D2

更新时间: 2024-01-17 18:42:39
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江苏爱普特 - APTSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 131K
描述
Glass Passivated Rectifier Diode Modules

MD165A12D2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:MODULE-3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.4 VJESD-30 代码:R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流:6000 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:82.5 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向电流:9000 µA表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

MD165A12D2 数据手册

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MD165C18D2  
Performance Curves  
300  
W
250  
A
DC  
DC  
200  
sin.180  
rec.120  
rec.60  
sin.180  
rec.120  
rec.30  
150  
100  
150  
rec.60  
rec.30  
50  
ID  
0
Pvtot  
0
0 ID  
120  
A 240  
0
Tc  
50  
100  
150  
Fig2.Forward Current Derating Curve  
Fig1. Power dissipation  
0.3  
8000  
A
50HZ  
/ W  
Zth(j-C)  
0.15  
4000  
0
0
1
10  
cycles 100  
0.001  
0.01  
0.1  
1.0  
10  
S 100  
Fig4. Max Non-Repetitive Forward Surge  
Current  
Fig3. Transient thermal impedance  
400  
A
300  
typ.  
200  
max.  
100  
25℃  
- - -125℃  
IF  
0
0
VF  
0.5  
1.0  
1.5  
V 2.0  
Fig5. Forward Characteristics  
Document Number: S-M0006  
Rev.1.0, May.31, 2013  
www.apt-semi.com  
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