5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MCMA140P1200TA
MCMA140P1200TA PDF预览

MCMA140P1200TA

更新时间： 2024-01-30 21:13:17
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
5页 266K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 140000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, TO-240AA,

阅读下载

中文翻译

获取价格

MCMA140P1200TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED标称电路换相断开时间：185 µs
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
快速连接描述：2G-2GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：200 mAJEDEC-95代码：TO-240AA
JESD-30 代码：R-PUFM-X7最大漏电流：10 mA
通态非重复峰值电流：2590 A元件数量：2
端子数量：7最大通态电压：1.7 V
最大通态电流：140000 A最高工作温度：140 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大均方根通态电流：220 A参考标准：IEC-60747
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

MCMA140P1200TA 数据手册

 浏览型号MCMA140P1200TA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MCMA140P1200TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MCMA140P1200TA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MCMA140P1200TA的Datasheet PDF文件第5页 
MCMA140P1200TA  
Ratings  
Thyristor  
Conditions  
Symbol  
VRSM/DSM  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 140°C  
TVJ = 25°C  
1300  
1200  
100  
V
V
max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage  
max. repetitive reverse/forward blocking voltage  
VRRM/DRM  
IR/D  
VR/D = 1200 V  
µA  
reverse current, drain current  
VR/D = 1200 V  
10 mA  
forward voltage drop  
VT  
150  
1.29  
V
V
V
V
A
A
V
IT =  
A
1.63  
1.28  
1.70  
140  
IT = 300 A  
IT = 150 A  
IT = 300 A  
TC = 85°C  
180° sine  
TVJ  
=
°C  
125  
average forward current  
RMS forward current  
TVJ = 140°C  
TVJ = 140°C  
ITAV  
IT(RMS)  
VT0  
220  
0.85  
threshold voltage  
for power loss calculation only  
slope resistance  
rT  
2.8 mΩ  
0.22 K/W  
K/W  
RthJC  
RthCH  
Ptot  
thermal resistance junction to case  
thermal resistance case to heatsink  
0.20  
TC = 25°C  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
520  
2.40  
2.59  
2.04  
2.21  
W
kA  
kA  
kA  
kA  
total power dissipation  
max. forward surge current  
ITSM  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
VR = 400 V f = 1 MHz  
tP = 30 µs  
TVJ = 140°C  
VR = 0 V  
value for fusing  
I²t  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
28.8 kA²s  
27.9 kA²s  
20.8 kA²s  
20.2 kA²s  
pF  
TVJ = 140°C  
VR = 0 V  
junction capacitance  
CJ  
TVJ = 25°C  
TC = 140°C  
119  
PGM  
10  
5
W
W
W
max. gate power dissipation  
tP = 300 µs  
PGAV  
0.5  
average gate power dissipation  
critical rate of rise of current  
(di/dt)cr  
TVJ = 140°C; f = 50 Hz  
tP = 200µs;diG/dt = 0.45 A/µs;  
IG = 0.45A; VD = ⅔ VDRM  
VD = ⅔ VDRM  
repetitive, IT = 450 A  
150 A/µs  
non-repet., IT = 150 A  
TVJ = 140°C  
500 A/µs  
critical rate of rise of voltage  
gate trigger voltage  
(dv/dt)cr  
VGT  
1000 V/µs  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
VD = 6 V  
TVJ = 25°C  
TVJ = -40°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = -40°C  
TVJ = 140°C  
1.5  
1.6  
V
V
gate trigger current  
IGT  
VD = 6 V  
150 mA  
200 mA  
gate non-trigger voltage  
gate non-trigger current  
latching current  
VGD  
IGD  
IL  
VD = ⅔ VDRM  
0.2  
V
10 mA  
tp = 10 µs  
TVJ = 25°C  
200 mA  
IG = 0.45A; diG/dt = 0.45 A/µs  
VD = 6 V RGK = ∞  
holding current  
IH  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
200 mA  
gate controlled delay time  
tgd  
VD = ½ V  
2
µs  
DRM  
IG = 0.45A; diG/dt = 0.45 A/µs  
turn-off time  
tq  
VR = 100 V; IT = 150 A; VD = ⅔ VDRM TVJ = 140°C  
di/dt = 10 A/µs; dv/dt = 20V/µs; µs  
185  
µs  
tp = 200  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20120802b  
© 2012 IXYS all rights reserved  
12345

中文翻译

下载PDF

与MCMA140P1200TA相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MCMA140P1400TA LITTELFUSE 双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

获取价格
MCMA140P1600TA LITTELFUSE 双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

获取价格
MCMA140P1800TA LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 140000mA I(T), 1800V V(RRM),

获取价格
MCMA140P1800TA IXYS Silicon Controlled Rectifier, 140000mA I(T), 1800V V(RRM),

获取价格
MCMA140PD1200TB LITTELFUSE 晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

获取价格
MCMA140PD1600TB LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 140000mA I(T), 1600V V(RRM),

获取价格

与MCMA140P1200TA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证