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MCC95-12IO8B

更新时间： 2023-12-06 20:13:20

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力特 - LITTELFUSE		局域网栅栅极
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6页	415K
描述
双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

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MCC95-12IO8B 数据手册

MCC95-12io8B

Thyristor

2500

10⁵

250

200

150

V_R= 0 V

180 ° sin

120 °

60°

50 Hz

2000

80% V_RRM

T_VJ

= 45°C

30°

I_TSM

I²t

[A²s]

T_VJ= 125°C

1500

I_TAVM

100

[A]

T_VJ= 45°C

[A]

1000

T_VJ= 125°C

500

10⁴

0.001

0.01

0.1

4 5 6 7 8910

25 50 75 100 125 150

t [s]

Fig. 1 Surge overload current I_TSM

t [ms]

Fig. 2 I²t versus time (1-10 ms)

T_C[°C]

Fig. 3 Max. forward current

at case temperature

I_FSM: Crest value, t: duration

250

200

150

100

1: I

GT VJ

, T = 125°C

2: I , T

GT VJ

25°C

R_thKAK/W

3: I , T

GT VJ

-40°C

0.4

0.6

0.8

1.2

1.5

V_G

P_tot

[W]

[V]

180 ° sin

120 °

60°

30°

4: P

= 0.5 W

GAV

5: P

6: P

5 W

, T = 125°C

GD VJ

10 W

0.1

100

150

T_a[°C]

100

1000 10000

I_TAVM, I_FAVM[A]

I_G[mA]

Fig. 5 Gate trigger characteristics

Fig. 4 Power dissipation vs. on-state current & ambient temperature

(per thyristor or diode)

1000

100

1000

800

_VJ= 25°C

R_thKAK/W

0.03

0.06

0.08

0.12

0.15

0.3

typ.

Limit

600

t_gd

[µs]

P_tot

[W]

0.5

400

200

Circuit

3x MCC95 or

3x MCD95

100

200

300

100

150

100

1000

I_dAVM[A]

T_a[°C]

I_G[mA]

Fig. 6 Three phase rectifier bridge: Power dissipation vs. direct

output current and ambient temperature

Fig. 7 Gate controlled delay time

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20200701e

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