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MCC94-24IO1B

更新时间： 2024-01-21 22:42:29

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	462K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 104000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 2 Element, TO-240AA, TO-240AA, 7 PIN

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MCC94-24IO1B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	快速连接描述：	2G-2GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	最大维持电流：	150 mA
JEDEC-95代码：	TO-240AA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
最大漏电流：	15 mA	通态非重复峰值电流：	1800 A
元件数量：	2	端子数量：	5
最大通态电流：	104000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	180 A	断态重复峰值电压：	2400 V
重复峰值反向电压：	2400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

MCC94-24io1B

Thyristor

1000

1: I_GT, T_VJ= 125°C

2: I_GT, T_VJ25°C

T_VJ= 25°C

3: I_GT, T_VJ= -40°C

typ.

Limit

100

V_G

t_gd

[µs]

[V]

4: P_GAV= 0.5 W

5: P_GM5 W

I_GD, T_VJ= 125°C

6: P_GM= 10 W

0.1

10⁰

10¹

10²

10³10⁴

100

1000

I_G[mA]

Fig. 1 Gate trigger characteristics

I_G[mA]

Fig. 2 Gate trigger delay time

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20161222b

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCC95	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC95-06IO1B	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 116000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Ele
MCC95-06IO8B	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 116000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Ele
MCC95-08IO1	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 800V V(RRM),
MCC95-08IO1B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC95-08IO1B	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCC95-08IO8B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC95-08IO8B	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCC95-12IO1B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC95-12IO1B	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。