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MBRF1650CT PDF预览

MBRF1650CT

更新时间： 2024-01-20 23:05:00
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical /
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
DUAL SCHOTTKY RECTIFIERS

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MBRF1650CT 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.32
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向电流：300 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE

MBRF1650CT 数据手册

 浏览型号MBRF1650CT的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
MBRF1635CT - - - MBRF1660CT  
BL  
VOLTAGE RANGE: 35 - 60 V  
DUAL SCHOTTKY RECTIFIERS  
CURRENT: 16 A  
FEATURES  
High surge capacity.  
ITO-220AB  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
111wheeling, and polarity protection applications.  
0.188(4.77)  
0.172(4.36)  
0.405(10.27)  
0.383(9.72)  
0.110(2.80)  
0.100(2.54)  
Metal silicon junction, majority carrier conduction.  
High current capacity, low forward voltage drop.  
Guard ring for over voltage protection.  
0.140(3.56)  
0.130(3.30)  
0.131(3.39)  
DIA  
DIA  
0.122(3.08)  
0.350(8.89)  
0.330(8.38)  
PIN  
1
2
3
0.191(4.85)  
0.171(4.35)  
0.110(2.80)  
0.100(2.54)  
MECHANICAL DATA  
0.060(1.52)  
Case:JEDEC ITO-220AB,molded plastic body  
Terminals:Leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity: As marked  
0.037(0.94)  
0.027(0.69)  
0.022(0.55)  
0.014(0.36)  
0.105(2.67)  
0.095(2.41)  
PIN1  
PIN3  
0.205(5.20)  
0.195(4.95)  
PIN2  
1 1  
jhzkvhcx  
Dimensions in inches and(millimeters)  
Weight: 0.08ounce, 2.24 grams  
Position: Any  
inch(mm)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
MBRF  
1635CT  
MBRF  
1645CT  
MBRF  
1650CT  
MBRF  
1660CT  
UNITS  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
35  
25  
35  
45  
32  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forw ard total device11111111  
16.0  
IF(AV)  
IFSM  
A
A
m rectified current @TC = 125°C  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half  
150.0  
b
sine-w ave superimposed on rated load  
Maximum forw ard  
)
(IF=8.0A,TC=25  
(IF=8.0A,TC=125  
0.63  
0.57  
0.75  
0.65  
V
voltage per leg  
(NOTE 1)  
VF  
)
Maximum reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@TC=25  
0.2  
1.0  
50  
m A  
IR  
@TC=125  
40  
/W  
Maximum thermal resistance (NOTE 2)  
RθJC  
TJ  
1.5  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 175  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Pulse test:300μs pulse width,1% duty cy cle.  
www.galaxycn.com  
2. Thermal resistance f rom junction to case and thermal resistance f rom junction to ambient.  
1.  
Document Number 0267052  
BLGALAXY ELECTRICAL  
12

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