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MBRF1660CT PDF预览

MBRF1660CT

更新时间： 2024-02-24 04:14:18
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辰达行 - MDD /
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2页 588K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBRF1660CT 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.2
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：150 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBRF1660CT 数据手册

 浏览型号MBRF1660CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBRF1620CT THRU MBRF16100CT  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current -  
16.0 Amperes  
ITO-220AB  
4.5± 0.2  
FEATURES  
10.2± 0.2  
+0.2  
-0.1  
3.1  
High surge capacity.  
For use in low voltage, high frequency inverters,free  
wheeling,and polarity protection applications.  
Metal silicon junction,majority carrier conduction.  
High current capability,low forward voltage drop.  
Guard ring for over voltage protection.  
PIN  
2
1
3
4.0± 0.3  
2.6± 0.2  
1.4± 0.1  
0.6± 0.1  
MECHANICAL DATA  
Case: ITO-220AB molded plastic body  
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
0.6± 0.1  
2.6± 0.15  
PIN 2  
CASE  
PIN 1  
PIN 3  
Polarity: As marked  
Mounting Position: Any  
Weight:0.060 ounce, 1.67 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
MBRF MBRF MBRF MBRF  
1670CT 1680CT 1690CT 16100CT  
MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF  
1620CT 1630CT 1640CT 1645CT 1650CT 1660CT  
SYMBOLS  
MDD Catalog  
Number  
UNITS  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
20 30  
14 21  
20 30  
40  
28  
40  
45 50  
32 35  
45 50  
60 70 80 90 100  
42 49 56 63 70  
60 70 80 90 100  
VOLTS  
VOLTS  
VOLTS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
(see fig.1)  
I(AV)  
16.0  
Amps  
Peak forward surge current  
IFSM  
150.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
Amps  
VF  
IR  
0.55  
0.75  
1.0  
0.85  
Maximum instantaneous forward voltage at 8.0A  
Volts  
mA  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
TA=100 C  
15.0  
500  
50.0  
360  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
pF  
C/W  
C
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
RθJC  
2.0  
-55 to +125  
-55 to +150  
TJ  
Storage temperature range  
C
TSTG  
-55 to +150  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.Thermal resistance from junction to case  
12

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