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MBRD630CT-LFR PDF预览

MBRD630CT-LFR

更新时间： 2024-01-28 22:52:17
品牌 Logo 应用领域
FRONTIER 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 124K
描述
6A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBRD630CT-LFR 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBRD630CT-LFR 数据手册

 浏览型号MBRD630CT-LFR的Datasheet PDF文件第2页 
Frontier Electronics Corp.  
667 E. COCHRAN STREET, SIMI VALLEY, CA 93065  
TEL: (805) 522-9998 FAX: (805) 522-9989  
E-mail: frontiersales@frontierusa.com  
Web: http://www.frontierusa.com  
6A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
MBRD620CT-LFR THRU MBRD660CT-LFR  
CASE : DPAK  
C
B
R
INCHES  
MILLIMETERS  
DIM  
E
MIN  
0.235  
0.250  
0.086  
MAX  
MIN  
5.97  
6.35  
2.19  
MAX  
6.35  
6.37  
2.38  
A
B
C
0.250  
0.265  
0.094  
V
4
2
Z
S
A
D
E
F
0.027  
0.033  
0.037  
0.035  
0.040  
0.047  
0.69  
0.84  
0.94  
0.88  
1.01  
1.19  
1
3
K
G
G
0.180 BSC  
4.58 BSC  
U
H
J
K
L
R
S
0.034  
0.018  
0.102  
0.040  
0.023  
0.114  
0.87  
0.48  
2.60  
1.01  
0.58  
2.89  
F
J
STYLE 3 :  
PIN 1. ANODE  
L
H
0.090 BSC  
2.29 BSC  
2.CATHODE  
3.ANODE  
4.CATHODE  
0.175  
0.020  
0.020  
0.030  
0.215  
0.050  
----  
4.45  
0.51  
0.51  
0.77  
5.46  
1.27  
----  
D 2PL  
U
V
0.050  
1.27  
Z
0.138  
----  
3.51  
----  
FEATURES  
z EXTREMELY LOW VF  
MECHANICAL DATA  
z CASE: TRANSFER MOLDED, DPAK  
z LOW STORED CHARGE, MAJORITY CARRIER CONDUCTION  
z LOW POWER LOSS / HIGH EFFICIENCY  
z UL 94V0 FLAME RETARDANT EPOXY MOLDING COMPOUND  
z ROHS  
z LEADS: SOLDERABLE PER MIL-STD-202, METHOD 208  
z POLARITY: AS MARKED  
z WEIGHT: 1.8 GRAMS  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATINGS AT 25°C AMBIENT TEMPERATURE UNLESS OTHERWISE SPECIFIED  
SINGLE PHASE, HALF WAVE, 60 HZ, RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD FOR CAPACITIVE LOAD, DERATE CURRENT BY 20%  
MBRD620CT-LF MBRD630CT-LF MBRD640CT-LF MBRD660CT-LF  
RATINGS  
SYMBOL  
UNITS  
R
R
R
R
MAXIMUM RECURRENT PEAK REVERSE VOLTAGE  
MAXIMUM RMS VOLTAGE  
MAXIMUM DC BLOCKING VOLTAGE  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
60  
42  
60  
V
V
V
MAXIMUM AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT  
6.0  
3.0  
IO  
A
A
SEE FIG.1  
PER LEG  
PEAK FORWARD SURGE CURRENT, 8.3ms SINGLE HALF  
SINE-WAVE SUPERIMPOSED ON RATED LOAD PER LEG  
IFSM  
75  
TYPICAL THERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE AT 25℃  
PER LEG  
2.43  
℃/W  
R
θjc  
STORAGE TEMPERATURE RANGE  
TSTG  
TOP  
- 55 TO + 150  
- 55 TO + 125  
℃
℃
OPERATING TEMPERATURE RANGE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (AT TA =25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
MBRD620CT-LF MBRD630CT-LF MBRD640CT-LF MBRD660CT-LF  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
UNITS  
R
R
R
R
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE AT 3A PER LEG  
VF  
IR  
0.55  
0.70  
V
5.0  
mA  
MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 25℃PER LEG (NOTE 1)  
IR  
50.0  
mA  
MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 100℃PER LEG (NOTE 1)  
NOTES: 1. PULSE TEST: 300µS PULSE WIDTH, 1% DUTY CYCLE  
MBRD620CT-LFR THRU MBRD660CT-LFR  
Page: 1  
12

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与MBRD630CT-LFR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRD630CTP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DPAK-3
MBRD630CTRL MOTOROLA

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 		Diode,
MBRD630CT-T MCC

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 		Rectifier Diode,
MBRD630CT-T3-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, TO-252, DPAK-3/2
MBRD630CTT4 ONSEMI

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 		SWITCHMODE Power Rectifiers
MBRD630CTT4 MOTOROLA

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