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MBRD10150CT

更新时间： 2024-06-27 12:05:25

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Schottky Diodes

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MBRD10150CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DPAK-3/2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.61
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.95 V	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	150 V
最大反向电流：	1000 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MBRD10150CT 数据手册

SMD Type

Diodes

Schottky Barrier Rectifier

MBRD1040CT ~ MBRD10200CT

TO-252

■ Features

● Low power loss,high efficiency.

High surge capacity

● For use in low voltage,high frequency inverters,

free wheeling,and polarity protection applications.

● Metal silicon junction,majority carrier conduction.

● High current capability,low forward voltage drop.

● Guard ring for over voltage protection.

1.Anode 2.Cathode 3. Anode

■ Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD

Parameter

Symbol 1040 1045 1050 1060 1080 1090 10100 10150 10200 Unit

100

150

105

150

200

140

200

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

31.5

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum average forward rectified current

100

IF(AV)

Peak forward surge current:8.3ms

single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC method)

IFSM

150

Maximum forward voltage at 5A per leg

0.65

0.72

0.85

0.92

0.1

= 25℃

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

I_R

= 125℃

Typical thermal resistance

Junction Temperature

Storage Temperature

R_θJC

1.4

℃/W

150

-55 to +150

175

℃

-65 to +175

T_stg

www.kexin.com.cn

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