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Datasheet > MBRB2545CTHE3_A/I
MBRB2545CTHE3_A/I PDF预览

MBRB2545CTHE3_A/I

更新时间： 2024-01-27 00:02:48
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB,

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MBRB2545CTHE3_A/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.64其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：12.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRB2545CTHE3_A/I 数据手册

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MBR25xxCT, MBRF25xxCT  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Power pack  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
3
3
2
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per  
JESD 22-B106  
2
1
1
MBR2535CT  
MBR2545CT  
PIN 1  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
MBRF2545CT  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 2  
CASE  
PIN 3  
PIN 3  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage, high frequency rectifier of switching  
mode power supplies, freewheeling diodes, DC/DC  
converters, or polarity protection application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
2 x 12.5 A  
35 V, 45 V  
150 A  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF  
0.73 V at 30 A  
150 °C  
TJ max.  
Package  
TO-220AB, ITO-220AB  
Common cathode  
Diode variation  
Polarity: as marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
MBR2535CT  
MBR2545CT  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
VRWM  
VDC  
V
Maximum DC blocking voltage  
total device  
25  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
A
at TC = 130 °C  
per diode  
12.5  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on  
rated load per diode  
IFSM  
IRRM  
ERSM  
VC  
150  
1.0  
25  
A
Peak repetitive reverse surge current per diode  
at tp = 2 μs, 1 kHz  
Peak non-repetitive reverse energy (8/20 μs waveform)  
per diode  
mJ  
Electrostatic discharge capacitor voltage human body model: C = 100 pF,  
R = 1.5 k  
25  
kV  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
TJ  
10 000  
V/μs  
Operating junction temperature range  
-65 to +150  
-65 to +175  
1500  
°C  
V
Storage temperature range  
TSTG  
VAC  
Isolation voltage (ITO-220AB only) from terminal to heatsink t = 1 min  
Revision: 28-Nov-17  
Document Number: 88675  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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与MBRB2545CTHE3_A/I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRB2545CTHE3-A VISHAY

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