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MBRB20H45CT-E3/31 PDF预览

MBRB20H45CT-E3/31

更新时间： 2024-02-28 01:42:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 153K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MBRB20H45CT-E3/31 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBRB20H45CT-E3/31 数据手册

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MBR(F,B)20H35CT thru MBR(F,B)20H60CT  
New Product  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for improved high temperature performance  
FEATURES  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
3
3
2
2
• High frequency operation  
1
1
MBR20HxxCT  
MBRF20HxxCT  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
of 245 °C (for TO-263AB package)  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 3  
PIN 3  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds (for TO-220AB &  
ITO-220AB package)  
TO-263AB  
K
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
2
1
TYPICAL APPLICATIONS  
MBRB20HxxCT  
PIN 1  
K
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching mode power supplies, free-wheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection application.  
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
10 A x 2  
35 V to 60 V  
150 A  
0.55 V, 0.61 V  
100 µA  
IR  
Tj max  
175 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL MBR20H35CT MBR20H45CT MBR20H50CT MBR20H60CT UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
V
V
V
Max. average forward rectified  
current (see Fig. 1)  
Total device  
per diode  
20  
10  
IF(AV)  
A
mJ  
A
Non-repetitive avalanche energy per diode at 25  
°C, IAS = 4 A, L = 10 mH  
EAS  
80  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load per diode  
IFSM  
IRRM  
ERSM  
150  
Peak repetitive reverse surge current per diode at  
tp = 2.0 µs, 1 kHz  
1.0  
20  
0.5  
10  
A
Peak non-repetitive reverse energy  
(8/20 µs waveform)  
mJ  
Document Number 88787  
22-Aug-06  
www.vishay.com  
1
12345

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与MBRB20H45CT-E3/31相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRB20H45CT-E3/45 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
MBRB20H45CT-E3/81 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
MBRB20H45CTHE3/45 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
MBRB20H45CT-HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBRB20H45CTHE3/81 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
MBRB20H45CT-HE3/81 VISHAY

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 		DIODE 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBRB20H50CT VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
MBRB20H50CT/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC
MBRB20H50CT/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC
MBRB20H50CT-E3/45 VISHAY

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