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MBRB2060CT PDF预览

MBRB2060CT

更新时间： 2024-01-23 10:02:44
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
SCHOTTKY RECTIFIER

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MBRB2060CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PACK-3/2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.64应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：150 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MBRB2060CT 数据手册

 浏览型号MBRB2060CT的Datasheet PDF文件第2页 
NEW PRODUCT  
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NEW PRODUCT  
MBRB2035CT THRU MBRB2060CT  
SCHOTTKY RECTIFIER  
Reverse Voltage - 35 to 60 Volts Forward Current - 20.0 Amperes  
FEATURES  
♦ Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
♦ Dual rectifier construction, positive center tap  
♦ Metal silicon junction,  
TO-263AB  
0.160 (4.06)  
0.190 (4.83)  
0.380 (9.65)  
0.420 (10.67)  
0.045 (1.14)  
0.055 (1.40)  
0.245 (6.22)  
MIN  
majority carrier conduction  
♦ Low power loss,  
K
high efficiency  
♦ High current capability, low forward voltage drop  
♦ High surge capability  
0.047 (1.19)  
0.320 (8.13)  
0.360 (9.14)  
0.055 (1.40)  
0.575 (14.60)  
0.625 (15.88)  
K
1
2
♦ Guardring for overvoltage protection  
♦ For use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling, and polarity protection applications  
♦ High temperature soldering in accordance with  
CECC 802 / Reflow guaranteed  
SEATING  
PLATE  
0.090 (2.29)  
-T-  
0.110 (2.79)  
0.018 (0.46)  
0.025 (0.64)  
0.095 (2.41)  
0.100 (2.54)  
0.080 (2.03)  
0.110 (2.79)  
0.027 (0.686)  
0.037 (0.940)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC TO-263AB molded plastic  
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
PIN 1  
PIN 2  
K - HEATSINK  
Polarity: As marked  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOLS  
VRRM  
VRWM  
VDC  
MBRB2035CT MBRB2045CT MBRB2050CT MBRB2060CT  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
Maximum average forward rectified current  
at TC=135°C  
I(AV)  
20.0  
20.0  
Amps  
Amps  
Peak repetitive forward current per leg at TC=135°C  
(rated VR, sq. wave 2.0 KHZ)  
IFRM  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
IRRM  
VF  
150.0  
Amps  
Amps  
Peak repetitive reverse surge current (NOTE 1)  
1.0  
_
0.5  
Maximum instantaneous  
forward voltage per leg at  
(NOTE 2)  
IF=10A, TC=25°C  
IF=10A, TC=125°C  
IF=20A, TC=25°C  
IF=20A, TC=125°C  
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.57  
0.84  
0.72  
Volts  
Maximum instantaneous reverse current at  
rated DC blocking voltage per leg  
TC=25°C  
TC=125°C  
IR  
0.1  
15.0  
0.15  
150.0  
mA  
Voltage rate of change, (rated VR)  
dv/dt  
RΘJC  
TJ  
10,000  
2.0  
V/µs  
°C/W  
°C  
Typical thermal resistance per leg (NOTE 3  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
)
-65 to +150  
-65 to +175  
TSTG  
°C  
NOTES: (1) 2.0µs pulse width, f=1.0KHZ  
(2) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle  
(3) Thermal resistance from junction to case per leg  
4/98  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MBRB2060CT/31 VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-263AB

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MBRB2060CT/31-E3 VISHAY DIODE 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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