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MBRB1045CT-TP

更新时间： 2024-01-03 05:40:01

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
2页	148K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

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MBRB1045CT-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.24
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	125 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	45 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

MBRB1045CT-TP 数据手册

M C C

MBRB1030CT

THRU

MBRB1060CT

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

10 Amp

Schottky

Barrier Rectifier

30 to 60 Volts

Features

Meatl of Silicon Rectifier, Majority Conducton

Guard ring for transient protection

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability, High Efficiency

Low Power Loss

D²-PACK

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

MCC

Catalog

Number

Maximum

Reccurrent

Peak Reverse

Voltage

30V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

30V

MBRB1030CT

MBRB1035CT

MBRB1040CT

MBRB1045CT

MBRB1050CT

MBRB1060CT

21V

24.5V

28V

35V

40V

45V

50V

35V

40V

31.5V

35V

45V

50V

60V

42V

60V

2 , 4

HEATSINK

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

INCHES

Average Forward

Current

I_F(AV)

10 A

T_C= 95°C

DIM

NOTE

MIN

.320

.380

.160

.020

.045

.095

.096

.014

.090

.575

.045

MAX

MIN

8.13

9.65

4.06

0.51

1.14

2.41

2.43

0.35

2.29

14.60

1.14

MAX

9.14

10.45

4.83

0.89

1.40

2.67

3.03

0.53

2.79

15.80

1.40

.359

.411

.190

.035

.055

.105

.120

.021

.110

.625

.055

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

125A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

V_F

.55V

I_FM= 5A;

T_J= 25°C

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT

I_R

0.5mA

T_J= 25°C

.740

18.79

.065

1.65

Inches

Typical Junction

Capacitance

C_J

200pF Measured at

1.0MHz,

.420

10.66

.⁰⁷⁰

1.78

V_R=4.0V

.120

3.05

.330

8.38

*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 1%

www.mccsemi.com

Revision: 4

2006/03/17

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与MBRB1045CT-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBRB1045CT-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MBRB1045-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBRB1045-E3/31	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBRB1045-E3/45	VISHAY	获取价格	Schottky Barrier Rectifier
MBRB1045-E3/81	VISHAY	获取价格	Schottky Barrier Rectifier
MBRB1045G	ONSEMI	获取价格	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier
MBRB1045-G	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
MBRB1045-GT4	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
MBRB1045HE3/45	VISHAY	获取价格	Schottky Barrier Rectifier
MBRB1045-HE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R

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