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MBR880-BP-HF

更新时间： 2024-01-09 23:38:43

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
3页	182K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

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MBR880-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.37
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.95 V	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向电流：	150 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

MBR880-BP-HF 数据手册

MBR870

Thru

MBR8100

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

High Current Capability, Low VF

Low Power Loss, High Efficiency

Guard Ring for Transient Protection

Marking : type number

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

8 Amp

Schottky Rectifier

70-100 Volts

RoHS Compliant. See ordering information)

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

•

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

TO-220AC

Maximum Ratings

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Operating Temperature: -55R to +150R

•

Storage Temperature: -55R to +175R

Maximum Thermal Resistance: R_θJC= 2.0R/W junction to case

Maximum

Recurrent

Maximum DC

Blocking

MCC

Maximum

Part Number Peak Reverse RMS Voltage

Voltage

MBR870

MBR880

MBR890

MBR8100

70V

80V

90V

49V

56V

63V

70V

80V

90V

100V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

T_C= 110R

8.3ms, half sine

Rated V_R

I_F(AV)

Current

PIN 1

PIN 2

CASE

Peak Forward

Surge Current

Voltage Rate of

Change

I_FSM

125A

10000

dv/dt

_FM= 8A@ T_J= 25R

.85V

.75V

.95V

.85V

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

ꢁꢂꢃꢉꢄꢊꢂꢇꢄꢊ

I_FM= 8A@ T_J= 125R

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

V_F

_FM= 16A@ T_J= 25R

_FM= 16A@ T_J= 125R

INCHES

ꢃꢂꢄ

ꢁꢂꢃ

ꢃꢅꢆ

ꢃꢂꢄ

14.22

9.65

ꢃꢅꢆ

15.88

10.67

3.43

ꢄꢇꢈꢉ

.560

.380

.100

.230

------

.500

.190

.020

.012

.139

.140

.045

.080

.625

.420

.135

Maximum DC

Reverse Current

At Rated DC

Blocking Voltage

Typical Junction

Capacitance

2.54

T_J= 25R

100mA T_J= 125R

0.15mA

.270

.250

5.84

------

6.86

6.35

14.73

5.33

1.14

0.64

4.09

4.83

1.40

2.92

I_R

.580

.210

12.70

4.83

.045

0.51

Measured at 1.0MHz,

V_R=4.0V

.025

.161

0.30

3.53

C_J

280pF

.190

3.56

Notes:1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

.055

.115

1.14

2.03

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: B

2013/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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