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MBR20H150CCT(TO-220&220FP&263)

更新时间: 2024-04-09 18:59:35
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深爱 - SISEMIC 功效
页数 文件大小 规格书
5页 368K
描述
抗高浪性能 高功效 低正向电压 大电流 低功耗 符合RoHS规范

MBR20H150CCT(TO-220&220FP&263) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
肖特基二极管/Power Schottky Rectifier  
MBR20H150CCT  
●特点: 抗高浪性能  
高功效 低正向电压 大电流  
低功耗  
符合 RoHS 规范  
FEATURESHIGH SURGE CAPABILITY HIGH EFFICIENCY LOW FORWARD VOLTAGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY LOW POWER LOSS RoHS COMPLIANT  
●应用:低压高频逆变电路 续流电流 保护电流  
APPLICATION: LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS  
POLARITY PROTECTION APPLICATIONS  
FREE WHEELING  
●最大额定值(Tc=25C)  
Absolute Maximum RatingsTc=25C)  
TO-220/220FP/263  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
单位  
UNIT  
V
反向重复峰值电压  
VRRM  
VR  
150  
150  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
最大直流阻断电压  
Maximum DC Reverse Voltage  
平均整流输出电流  
V
A
Average Rectified Output Current  
@Tc=125C  
IF(AV)  
20  
正向峰值浪涌电流  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave  
superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
300  
A
最高结温  
Maximum Operating Junction  
Temperature  
Tj  
175  
贮存温度  
Tstg  
-50-175  
Storage Temperature  
●电特性(Tc=25CElectronic CharacteristicsTc=25C)  
参数名称  
CHARACTERISTICS  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
最小值  
MIN  
典型值 最大值  
单位  
UNIT  
TEST CONDITION  
@IF=10A,Tc=25C  
@IF=10A,Tc=125C  
@IF=20A,Tc=25C  
@IF=20A,Tc=125C  
@Tc=25  
TYP  
MAX  
0.88  
0.78  
0.98  
0.88  
0.05  
5
正向压降  
Forward Voltage Drop  
VFM  
V
反向电流  
Peak Reverse Current @ Rated VR  
IRM  
mA  
@Tc=125C  
●热特性 Thermal Characteristics  
项目  
最大值  
VALUE  
UNIT  
PARAMETER  
SYMBOL  
TO-2201.3  
TO-220FP3.5  
TO-2631.3  
热阻结-壳  
Thermal Resistance Junction-case  
RthJC  
/W  
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
包装形式/PACKING  
订货编码/ORDERING CODE  
普通塑封料/ Normal Package Material  
无卤塑封料/Halogen Free  
MBR20H150CCT TO-220-TU-HF  
MBR20H150CCT TO-220FP-TU-HF  
MBR20H150CCT TO-263-TU-HF  
TO-220 条管装/TUBE PACKING  
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING  
TO-263 条管装/TUBE PACKING  
MBR20H150CCT TO-220-TU  
MBR20H150CCT TO-220FP-TU  
MBR20H150CCT TO-263-TU  
1
Si semiconductors 2019.01  

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