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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR20100CT-M3/4W
MBR20100CT-M3/4W PDF预览

MBR20100CT-M3/4W

更新时间： 2024-02-25 13:33:29
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效PC局域网
页数 文件大小 规格书
4页 129K
描述
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

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MBR20100CT-M3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.05
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：671036Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Schottky DiodeSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220AB_6Samacsys Released Date：2019-02-10 00:17:49
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.65 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR20100CT-M3/4W 数据手册

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New Product  
MBR2090CT, MBR20100CT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
TMBS®  
TO-220AB  
• High frequency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
3
2
1
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectifier of switching  
mode power supplies, freewheeling diodes, DC/DC  
converters or polarity protection application.  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS compliant, and  
commercial grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
2 x 10 A  
90 V, 100 V  
150 A  
VF  
0.65 V  
TJ max.  
150 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
MBR2090CT  
MBR20100CT  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
90  
90  
90  
100  
100  
100  
V
V
V
total device  
per diode  
20  
10  
Maximum average forward rectified current at TC = 133 °C  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
150  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 150  
Document Number: 89192  
Revision: 30-Nov-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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