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MBR1030 PDF预览

MBR1030

更新时间： 2024-01-25 13:44:31
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 211K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR1030 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.33其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR1030 数据手册

 浏览型号MBR1030的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
MBR1030 - - - MBR10100  
BL  
VOLTAGE RANGE: 30 - 100 V  
CURRENT: 10 A  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
FEATURES  
TO-220AC  
High surge capacity.  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
111wheeling, and polarity protection applications.  
Metal silicon junction, majority carrier conduction.  
High current capacity, low forward voltage drop.  
Guard ring for over voltage protection.  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC TO-220AC,molded plastic body  
Terminals:Leads, solderable per MIL-STD-750,  
1 1  
Method 2026  
Polarity: As marked  
Position: Any  
Weight: 0.064 ounces,1.81 gram  
mm  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capactive load,derate current by 20%.  
Ratings at 25  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
1030 1035 1040 1045 1050 1060 1090 10100  
UNITS  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
21  
30  
35  
25  
35  
40  
28  
40  
45  
32  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
90  
63  
90  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forw ard total device  
IF(AV)  
IFSM  
10  
A
A
m rectified current @TC = 125°C  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half  
150  
b
sine-w ave superimposed on rated load  
Maximum forw ard  
voltage  
(IF=10A,TC=25  
(IF=10A,TC=125  
(I F=20A,TC=25  
(IF=20A,TC=125  
)
0.80  
0.80  
-
)
0.57  
0.84  
0.72  
0.70  
0.95  
0.65  
0.95  
V
VF  
(Note 1)  
)
)
0.85  
0.75  
Maximum reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@TC=25  
0.1  
IR  
m A  
@TC=125  
15  
6.03)  
Maximum thermal resistance (Note2)  
RθJC  
TJ  
2.0  
/W  
Operating junction temperature range  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Pulse test:300μs pulse width,1% duty cy cle.  
www.galaxycn.com  
2. Thermal resistance from junction to case.  
3.TC=100  
1.  
Document Number 0266032  
BLGALAXY ELECTRICAL  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR1030_1 DIODES

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 		10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR1030_2 DIODES

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 		10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR10300 YANGJIE

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 		TO-220AC
MBR10300D YANGJIE

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 		TO-252
MBR10300F YANGJIE

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 		ITO-220AC
MBR10300L-F-CT HDSEMI

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 		TO-220 Plastic-Encapsulate Diodes
MBR1030-BP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
MBR1030CD NIUHANG

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 		SCHOTTKY RECTIFIERS
MBR1030CT DIGITRON

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 		Rectifier, Schottky; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 10; Max TMS Bridge Input Voltage
MBR1030CT SSC

获取价格

 		Schottky Barrier Recitifier

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