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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR10150FCT-BP
MBR10150FCT-BP PDF预览

MBR10150FCT-BP

更新时间： 2024-01-19 21:07:52
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 高压
页数 文件大小 规格书
3页 650K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

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MBR10150FCT-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.59
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.84 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向电流：20 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

MBR10150FCT-BP 数据手册

 浏览型号MBR10150FCT-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR10150FCT-BP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
MBR10150CT  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
10 Amp High Voltage  
Power Schottky  
Barrier Rectifier  
150Volts  
Features  
·
·
High Junction Temperature Capability  
Good Trade Off Between Leakage Current  
And Forward Volage Drop  
·
Low Leakage Current  
Maximum Ratings  
·
·
·
·
Operating Junction Temperature : 150°C  
Storage Temperature: - 50°C to +150°C  
Per d iodeThermal Resistance 4°C/W Junction to Case  
Total Thermal Resistance 2.4°C/W Junction to Case  
TO-220AB  
B
L
M
C
MCC  
Catalog  
Number  
Maximum  
Re current  
Peak Reverse  
Voltage  
Maximum Maximum  
D
RMS  
DC  
A
K
Voltage  
Blocking  
Voltage  
150V  
E
F
PIN  
MBR 10150 CT  
150 V  
105V  
1
3
G
I
J
N
H
H
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
10 A  
TC = 155°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
120A  
8.3ms half sine  
Maximum  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
Instantaneous  
Forward Voltage  
MBR10150CT  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
INCHES  
MM  
ꢁꢂꢃ  
A
B
C
D
E
ꢃꢂꢄ  
.600  
.393  
.104  
.244  
.356  
ꢃꢅꢆ  
ꢃꢂꢄ  
15.25  
10.00  
2.65  
6.20  
9.05  
ꢃꢅꢆ  
15.75  
10.40  
2.95  
6.60  
9.15  
ꢄꢇꢈꢉ  
IFM = 5A  
VF  
.92V  
.75V  
.620  
.409  
.116  
.259  
.361  
TJ = 25°C  
IFM = 5A  
V
F
TJ = 125°C  
F
G
.137  
.511  
.154  
.551  
3.50  
13.00  
3.93  
14.00  
H
.094  
.106  
2.40  
2.70  
I
J
.024  
.019  
.034  
.027  
0.61  
0.49  
0.88  
0.70  
K
L
M
N
.147  
.173  
.048  
.151  
.181  
.051  
3.75  
4.40  
1.23  
3.85  
4.60  
1.32  
Maximum  
IR  
50 µ A  
7m A  
TJ = 25°C  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
0.102ty p.  
2.6 typ .  
TJ = 125°C  
*Pulse Test: Pulse Width380msec, Duty Cycle 2%  
www.mccsemi.com  
123

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MBR10150FCT-BP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR10150FCT PANJIT

功能相似

 10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR10150FCT MCC

功能相似

 10 Am p High Voltage Power Schottky Barrier Rectifier 150 Volts

与MBR10150FCT-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR10150FCT-BP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN
MBR10150FCTH MCC

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MBR10150FCTH-BP-HF MCC

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 		Rectifier Diode,
MBR10150FCTS YANGJIE

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 		ITO-220AB
MBR10150G DYELEC

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