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MBR10200

更新时间： 2024-01-03 09:13:36
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大昌电子 - DACHANG 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 146K
描述
Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage 40 to 200 V Forward Current 10 A

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MBR10200 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.17
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.88 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR10200 数据手册

 浏览型号MBR10200的Datasheet PDF文件第2页 
R
SIYU  
MBR1040 ...... MBR10200  
肖特基二极管  
反向电压40---200V  
正向电流10 A  
Schottky Barrier Rectifier  
Reverse Voltage 40 to 200 V  
Forward Current 10 A  
TO-220AC  
特征 Features  
.189(4.8)  
.138(3.5)  
.420(10.67)  
.380(9.65)  
.054(1.4)  
.045(1.14)  
·大电流承受能力。High Current Capability  
·正向压降低。Low Forward Voltage Drop  
.270(6.86)  
.230(5.84)  
Φ.138(3.5)  
Φ.118(3.0)  
.625(15.88)  
.560(14.22)  
·低功耗高效率。Low Power Loss  
，High Efficiency  
·引线和管体皆符合RoHS标准 。  
Lead and body according with RoHS standard  
1
2
.138(3.5)  
MAX  
.500(12.70)  
MIN  
.025(0.65)  
MAX  
机械数据 Mechanical Data  
.028(0.7)  
.019(0.5)  
.115(2.92)  
.080(2.03)  
·
·
·
封装  
:
塑料封装 Case: Molded Plastic  
极性  
:
标记模压或印于本体 Polarity: Symbols molded or marked on body  
1
2
.109(2.79)  
.090(2.29).090(2.29)  
.109(2.79)  
安装位置  
:
任意 Mounting Position: Any  
推荐值0.3 Mounting torque：Recommend 0.3 N*m  
Unit  
：inch（mm）  
·
安装扭距  
:
牛*米  
极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.  
符号  
Symbols  
单位  
Unit  
MBR MBR  
1040 1045  
MBR MBR  
1050 1060  
MBR  
10150 10200  
MBR  
MBR  
10100  
最大可重复峰值反向电压  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
V
V
A
A
VRRM  
40  
45  
50  
60  
100  
150  
200  
最大均方根电压  
Maximum RMS voltage  
VRMS  
28  
40  
31.5  
45  
35  
50  
42  
60  
70  
105  
150  
140  
200  
最大直流阻断电压  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
IF(AV)  
100  
最大正向平均整流电流  
Maximum average forward rectified current  
10.0  
150  
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
IFSM  
2.0  
典型热阻 Typical thermal resistance  
RθJC  
℃
W
工作结温和存储温度  
Tj, TSTG  
-55--- +150  
℃
Operating junction and storage temperature range  
电特性 TA = 25  
℃除非另有规定。  
Electrical Characteristics Ratings at 25  
℃
ambient temperature unless otherwise specified.  
符号  
MBR MBR MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR 单位  
Symbols 1040 1045 1050  
1060 10100  
10150 10200  
Unit  
IF = 10A  
最大正向电压  
Maximum forward voltage  
V
0.99  
0.70  
0.80  
0.85  
0.95  
VF  
IR  
最大反向电流  
TA= 25  
℃
0.1  
15  
0.1  
6
mA  
pF  
Maximum reverse curren  
典型结电容 VR 4.0V, f = 1MHz  
Type junction capacitance  
t
TA=100  
℃
=
500  
Cj  
大昌电子 DACHANG ELECTRONICS  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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