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MBM29LV160B-12PCV

更新时间: 2024-01-28 23:32:19
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飞索 - SPANSION 闪存
页数 文件大小 规格书
58页 735K
描述
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT

MBM29LV160B-12PCV 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, SON-46
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:120 ns其他特性:MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; ALSO CONFIGURABLE AS 1M X 16
启动块:BOTTOMJESD-30 代码:R-PDSO-N46
长度:12 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:46
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VSON
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:0.75 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:10 mmBase Number Matches:1

MBM29LV160B-12PCV 数据手册

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MBM29LV160T-80/-90/-12/MBM29LV160B-80/-90/-12  
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N.C.  
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CSOP-48  
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VSS  
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BYTE  
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A15  
(LCC-48P-M03)  
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Marking side  
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(BGA-48P-M13)  
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RESET B5  
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N.C.  
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DQ0  
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DQ9  
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VCC  
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DQ14  
DQ13  
DQ6  
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CE  
OE  
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DQ10  
DQ11  
DQ3  
BYTE  
DQ15/A-1  
VSS  
DQ4  
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与MBM29LV160B-12PCV相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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