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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> MAX2601ESA
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MAX2601ESA

更新时间： 2024-02-04 02:48:35
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 晶体射频双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 51K
描述
3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz Applications

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MAX2601ESA 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：PSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.05
最大集电极电流 (IC)：1.2 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MAX2601ESA 数据手册

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3 .6 V, 1 W RF P o w e r Tra n s is t o rs  
fo r 9 0 0 MHz Ap p lic a t io n s  
1/MAX602  
__________________________________________Typ ic a l Op e ra t in g Ch a ra c t e ris t ic s  
(Test Circuit of Figure 1, input/output matching networks optimized for specific measurement frequency, V = 3.6V, V = 0.750V,  
CC  
BB  
P
= 30dBm, Z  
= Z  
= 50Ω, f = 836MHz, T = +25°C, unless otherwise noted.)  
OUT  
LOAD  
SOURCE  
A
TWO-TONE OUTPUT POWER, IM3, IM5  
vs. INPUT POWER  
TWO-TONE OUTPUT POWER AND IM3  
COLLECTOR CURRENT  
vs. COLLECTOR CURRENT  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
35  
25  
15  
5
31  
P
, IM3, AND IM5  
OUT  
P
, IM3, AND IM5  
OUT  
P
OUT  
ARE RMS COMPOSITE  
TWO-TONE POWER  
LEVELS  
ARE RMS COMPOSITE  
TWO-TONE POWER LEVELS  
P
V
= 1.00V  
OUT  
BB  
30  
29  
28  
27  
V
BB  
= 0.95V  
IM3  
V
= 0.90V  
BB  
IM3  
IM5  
V
= 0.85V  
3
BB  
V
BB  
= 0.80V  
5
-5  
0
1
2
4
6
5
10  
15  
INPUT POWER (dBm)  
20  
25  
0.4  
0.5  
0.6  
(A)  
0.7  
0.8  
V
CE  
(V)  
I
CC  
ACPR vs. OUTPUT POWER  
(IS-54 π/4 DQPSK MODULATION, V = 0.85V)  
COLLECTOR EFFICIENCY vs. OUTPUT POWER  
(IS-54 π/4 DQPSK MODULATION, V = 0.85V)  
TWO-TONE OUTPUT POWER, IM3, IM5  
vs. INPUT POWER (f = 433MHz)  
BB  
BB  
-20  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
35  
25  
15  
5
P , IM3, AND IM5  
OUT  
P
OUT  
3.0V  
-22  
-24  
-26  
ARE RMS COMPOSITE  
TWO-TONE POWER  
LEVELS  
3.0V  
3.6V  
P
, IM3, AND IM5  
OUT  
IM3  
-28  
-30  
-32  
-34  
-36  
-38  
-40  
ARE RMS COMPOSITE  
TWO-TONE  
POWER LEVELS  
3.6V  
4.2V  
4.2V  
IM5  
4.8V  
4.8V  
-5  
10  
15  
20  
25  
30  
35  
10  
15  
20  
25  
30  
35  
5
10  
15  
INPUT POWER (dBm)  
20  
25  
OUTPUT POWER (dBm)  
OUTPUT POWER (dBm)  
______________________________________________________________P in De s c rip t io n  
PIN  
NAME  
FUNCTION  
MAX2601  
MAX2602  
1, 8  
1, 8  
C
E
Transistor Collector  
Transistor Emitter  
2, 3, 6, 7, Slug  
2, 6, 7, Slug  
Anode of the Biasing Diode that matches the thermal and process char-  
acteristics of the power transistor. Requires a high-RF-impedance, low-  
DC-impedance (e.g., inductor) connection to the transistor base (Pin 4).  
Current through the biasing diode (into Pin 3) is proportional to 1/15 the  
collector current in the transistor.  
—
3
BIAS  
B
4, 5  
4, 5  
Transistor Base  
_______________________________________________________________________________________  
3
123456

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