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MAX2118UTL

更新时间： 2024-02-03 17:22:01
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM /
页数 文件大小 规格书
15页 315K
描述
Complete DBS Direct-Conversion Tuner ICs with Monolithic VCOs

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MAX2118UTL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：6 X 6 MM, LEAD FREE, QFN-40
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.78
特性阻抗：30 Ω构造：COMPONENT
JESD-609代码：e3LO 可调谐：YES
安装特点：SURFACE MOUNT端子数量：40
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：LCC40,.24SQ,20
电源：5 V最大射频输入频率：2175 MHz
最小射频输入频率：925 MHz射频/微波设备类型：DOWN CONVERTER
子类别：RF/Microwave Up/Down Converters最大压摆率：265 mA
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)

MAX2118UTL 数据手册

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Complete DBS Direct-Conversion Tuner ICs  
with Monolithic VCOs  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)  
(MAX2116/MAX2118 EV kits, V  
= +4.75V to +5.25V, GC1 and GC2 set for maximum gain, GND = 0V, IOUT = QOUT = 800mV  
CC  
P-P  
(MAX2116), loaded with 1kΩ IOUT = QOUT = 590mV  
differential (DL = 0, MAX2118), IOUT = QOUT = 1V  
differential (DL  
P-P  
P-P  
= 1, MAX2118), loaded with differential 2kΩ. Baseband LPF BW = 33MHz, f  
= 2175MHz. For default register values, see the  
RFIN  
Serial Interface and Control Registers section. T = +25°C to +85°C. Typical values are at V  
= +5V, T = +25°C, unless otherwise  
A
CC  
A
noted.) (Note 1)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
GC1 = 0.75V (max gain), bit DL = 1,  
bits GC2(4) - GC2(0) = 00000 (max gain)  
-77  
-72  
Input Carrier Levels Necessary to Produce  
for output ≥ 800mV  
P-P  
1V  
(Differential) at I/Q Baseband Outputs  
dBm  
P-P  
GC1 = 2.6V (min gain), bit DL = 1,  
bits GC2(4) - GC2(0) = 11111 (min gain),  
(MAX2118)  
3
16  
-77  
16  
for output ≤ 800mV  
P-P  
GC1 = 0.75V (max gain), bit DL = 0,  
bits GC2(4) - GC2(0) = 00000 (max gain),  
-72  
Input Carrier Levels Necessary to Produce  
for output ≥ 800mV  
P-P  
590mV  
(Differential) at I/Q Baseband  
dBm  
P-P  
GC1 = 2.6V (min gain), bit DL = 0,  
bits GC2(4) - GC2(0) = 11111 (min gain),  
Outputs (MAX2118)  
3
for output ≤ 800 mV  
P-P  
RF Gain Control (GC1) Range  
0.75V < GC1 < 2.6V  
60  
19  
69  
24  
10  
22  
dB  
dB  
Baseband Gain Control (GC2) Range  
Bits GC2(4) - GC2(0) = 00000 to 11111  
IIP3  
IIP2  
(Note 5)  
(Note 6)  
dBm  
dBm  
GC1 = 0.75V (max gain), bits GC2(4) - GC2(0)  
= 00000 (max gain)  
NF  
10.5  
dB  
Minimum RF Input Return Loss  
Maximum LO Leakage at RFIN  
75Ω input source, 925MHz < f  
< 2175MHz  
13.5  
-80  
dB  
RFIN  
925MHz < f < 2175MHz  
-63  
dBm  
LO  
Unwanted in 925MHz to 2175MHz band  
Unwanted = 2250MHz  
33  
30  
50  
LO-Generated RFIN Second Harmonic  
Rejection  
45  
dB  
Unwanted above 2250MHz  
6dB/oct  
BASEBAND OUTPUTS  
Baseband I/Q Output Impedance  
Baseband Highpass -3dB Point  
Quadrature Phase Error  
Single ended, real Z  
30  
Ω
Hz  
OUT  
0.1µF capacitors at IDC , QDC  
125kHz baseband test tone  
125kHz baseband test tone  
Baseband -3dB cutoff frequency  
Fc = 4MHz  
850  
4
Degrees  
dB  
Quadrature Gain Error  
1.2  
33  
Baseband Lowpass BW Range  
4
MHz  
ꢀ
-5.5  
-10  
+5.5  
+10  
LP Filter BW Accuracy  
Fc = 33MHz (Note 7)  
ꢀ
Ratio of In-Filter-Band to Out-of-Filter-Band  
Noise  
Finband = 100Hz to 22.5MHz,  
Foutband = 87.5MHz to 112.5MHz  
25  
dB  
4
_______________________________________________________________________________________  
1234567...15

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