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MAU2D3000B

更新时间： 2024-10-05 14:53:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	425K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, USSMINI2-F1, 2 PIN

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MAU2D3000B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.8	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MAU2D3000B 数据手册

This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MAU2D30

Silicon epitaxial planar type

For high speed switching circuits

Unit: mm

+0.05

–0.02

0.60±0.05

0.13

 Features

 Optimum for high-density mounting

 Extremely low reverse current I_R

 Short reverse recovery time t_rr

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

0.2

+0.05

–0.02

Parameter

Reverse voltage

Symbol

Rating

Unit

V_R

V_RRM

I_F(AV)

I_FM

5°

Repetitive peak reverse voltage

Forward current (Average)

Peak forward current

100

200

Non-repetitive peak forward surge current^*

Junction temperature

I_FSM

T_j

1: Anode

2: Cathode

125

°C

USSMini2-F1 Package

Storage temperature

stg

–55 to +125

Marking Symbol: 1D

Note) : 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

V_F1

V_F2

I_R1

Conditions

Min

Typ

Max

0.44

0.58

0.3

Unit

I_F= 10 mA

I_F= 100 mA

V_R= 10 V

V_R= 30 V

0.38

0.51

Forward voltage

µA

Reverse current

I_R2

Terminal capacitance

C_t

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= I_R= 10 mA, I_rr= 10 mA,

R_L= 100 Ω

Reverse recovery time ^*

t_rr

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage

of current from the operating equipment.

3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz

4. : t_rrmeasurement circuit

Bias Application Unit (N-50BU)

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

_rr= 10 mA

_F= I_R= 10 mA

_L= 100 Ω

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

Pulse Generator

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

Publication date: September 2006

SKH00158AED

12 3

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