5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-41 |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.57 |
| 最大击穿电压： | 105 V | 最小击穿电压： | 95 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-204AL | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 400 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.13 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 85.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAP4KE100C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 81V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-20 |
|
| MAP4KE100CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 85.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| MAP4KE100CAE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 85.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| MAP4KE100CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 85.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| MAP4KE100CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 85.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| MAP4KE100CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 81V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-20 |
|
| MAP4KE100E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
|
| MAP4KE100TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 81V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| MAP4KE10AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
|
| MAP4KE10ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
