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MA170

更新时间： 2024-02-07 08:17:14
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松下 - PANASONIC /
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2页 51K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA170 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：O-XALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.82
其他特性：HIGH SPEED SWITCH外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-XALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.02 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

MA170 数据手册

 浏览型号MA170的Datasheet PDF文件第2页 
Switching Diodes  
MA2B170, MA2B171  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
φ 0.56 max.  
For high-speed switching circuits  
1
COLORED BAND  
INDICATES  
CATHODE  
I Features  
•
•
•
Large forward current IF(AV)  
High switching speed  
Small terminal capacitance, Ct  
1st Band  
2nd Band  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VR  
Rating  
40  
Unit  
V
MA2B170  
MA2B171  
MA2B170  
MA2B171  
Reverse voltage  
(DC)  
80  
2
VRRM  
40  
V
Repetitive peak  
reverse voltage  
1 : Cathode  
2 : Anode  
JEDEC : DO-35  
80  
φ 1.95 max.  
Average forward current  
IF(AV)  
IFRM  
IFSM  
200  
600  
1
mA  
mA  
A
Repetitive peak forward current  
Non-repetitive peak  
forward surge current*  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
200  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +200  
Note)  
* : t = 1 s  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC) MA2B170  
MA2B171  
Symbol  
IR1  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
nA  
VR = 15 V  
50  
MA2B170  
IR2  
VR = 35 V  
VR = 75 V  
500  
500  
100  
100  
1.1  
4
nA  
MA2B171  
MA2B170  
IR  
VR = 35 V, Ta = 150°C  
VR = 75 V, Ta = 150°C  
IF = 200 mA  
µA  
MA2B171  
Forward voltage (DC)  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
VF  
Ct  
trr  
V
pF  
ns  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
IF = 10 mA, VR = 1 V  
20  
Irr = 0.1 · IR, RL = 100 Ω  
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz  
2. * : trr measuring circuit  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
I Cathode Indication  
tr  
t
Type No.  
Color 1st Band  
2nd Band  
MA2B170 MA2B171  
10%  
IF  
t
Violet  
White  
Violet  
Green  
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 · IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 1 V  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
RL = 100 Ω  
Rs = 50 Ω  
1
12

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