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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> M66700P
M66700P PDF预览

M66700P

更新时间： 2024-02-22 19:13:41
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 时钟驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 76K
描述
DUAL HIGH-SPEED CCD CLOCK DRIVER

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M66700P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP8,.3
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.92Is Samacsys：N
高边驱动器：NO接口集成电路类型：CCD DRIVER
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e0
长度：8.9 mm功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：70 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.5 mm
子类别：Other Interface ICs最大供电电压：13.2 V
最小供电电压：10.8 V标称供电电压：12 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：0.03 µs接通时间：0.03 µs
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

M66700P 数据手册

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MITSUBISHIDIGITALASSP
M66700P/WP
DUAL HIGH-SPEED CCD CLOCK DRIVER  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
M66700 Semiconductor Integrated Circuit is built in facsimi-  
les and photocopiers to drive CCD linear image sensor data  
transfer clocks at high speeds. Because this IC takes in data  
on the TTL (Transistor-transistor logic) level, it can be driven  
directly by a TTL integrated circuit.  
1
8
NC  
INA→  
GND  
INB→  
NC  
2
3
4
7
6
5
INPUT  
INPUT  
→OUTA  
OUTPUT  
OUTPUT  
V
CC  
→OUTB  
FEATURES  
• Output logic amplitude: 12V  
• High-speed rise/fall time  
M66700P  
Outline 8P4  
tr = tf = 33ns (typical)  
GND  
GND  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
V
CC  
CL = 1000pF  
• High output “H” level voltage: (VCC – 1) V minimum  
• Low output “L” level voltage: 0.5V maximum  
• TTL input level  
• Package with improved allowable power dissipation (WP)  
characteristic  
GND  
OUTPUT  
INPUT  
OUTPUT  
INPUT  
OUTA ←  
GND  
14 →OUTB  
13  
12  
GND  
GND  
GND  
INA →  
GND  
11 ←INB  
10  
9
GND  
GND  
APPLICATION  
Driving of CCD image sensors in facsimiles, image scanners  
and photocopiers  
GND  
M66700WP  
Outline 16P4  
NC: No Connection  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 0 ~ 70°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
Unit  
VCC  
VI  
Supply voltage  
Input voltage  
Output voltage  
–0.5 ~ +15  
–0.5 ~ +15  
VCC  
V
V
V
VO  
Output: “H”  
For single integrated  
circuit; = 25°C (Note 1)  
Pd  
Power dissipation  
950 (P) /1800 (WP)  
–65 ~ 150  
mW  
Ta  
Tstg  
Storage temperature  
°C  
Note 1: When Ta is 25°C or higher, conduct derating as follows: 7.7mW/C° (P) /14.4mW/°C (WP).  
RECOMMENDED OPERATIONAL CONDITIONS  
Limits  
Typ.  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Min.  
10.8  
2.0  
Max.  
13.2  
VCC  
VIH  
VIL  
Supply voltage  
“H” input voltage  
“L” input voltage  
12.0  
V
V
0.8  
70  
V
Topr  
Operating temperature  
0
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 12V ±10% and Ta = 0 ~ 70°C unless otherwise noted)  
Symbol Parameter Test conditions  
Limits  
Unit  
Min.  
2.0  
Typ. (Note 2)  
Max.  
VIH  
VIL  
“H” input voltage  
“L” input voltage  
V
V
0.8  
–0.82  
11.3  
0.23  
–1.5  
VIC  
VOH  
VOL  
IIH  
Input clamp voltage  
“H” output voltage  
“L” output voltage  
“H” input current  
“L” input current  
IIC = –18mA  
V
VCC – 1  
VI = 0.4V, IOH = –1mA  
VI = 2.0V, IOL = +1mA  
VI = 5.5V  
V
0.5  
100  
–0.4  
5
V
µA  
mA  
mA  
mA  
–0.13  
2.2  
IIL  
VCC = 12V, VI = 0.4V  
VCC = 12V, VI = 0.0V  
VCC = 12V, VI = 4.5V  
ICC H  
ICC L  
“H” supply current  
“L” supply current  
29.2  
38  
Note 2: Standard values are measured under VCC = 12V and Ta = 25°C.  
1
1234

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