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M5M51008CFP-70X

更新时间： 2024-02-12 02:23:14

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三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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7页	90K
描述
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM

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M5M51008CFP-70X 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP32,.56
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.29	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.75 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP32,.56	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.05 mm
最大待机电流：	0.000008 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.4 mm
Base Number Matches：	1

M5M51008CFP-70X 数据手册

MITSUBISHI LSIs

M5M51008CP,FP,VP,RV,KV,KR -55H, -70H,

-55X, -70X

1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM

Write cycle ( S1 control mode)

tCW

A0~16

tsu (A)

trec (W)

tsu (S1)

(Note 3)

(Note 5)

(Note 4)

(Note 3)

th (D)

tsu (D)

DATA IN

STABLE

DQ1~8

Write cycle (S2 control mode)

tCW

A0~16

(Note 3)

tsu (A)

tsu (S2)

trec (W)

(Note 5)

(Note 4)

(Note 3)

tsu (D)

th (D)

DATA IN

STABLE

DQ1~8

Note 3: Hatching indicates the state is "don't care".

4: Writing is executed while S2 high overlaps S1 and W low.

5: When the falling edge of W is simultaneously or prior to the falling edge of S1

or rising edge of S2, the outputs are maintained in the high impedance state.

6: Don't apply inverted phase signal externally when DQ pin is output mode.

MITSUBISHI

ELECTRIC

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