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M5M416400BRT-6ST

更新时间: 2024-09-25 15:46:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 629K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

M5M416400BRT-6ST 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R,针数:26
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.35
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G24长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

M5M416400BRT-6ST 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M416400BRT-7ST MITSUBISHI

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