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M5M416100BTP-5ST

更新时间： 2024-11-25 20:51:19

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	560K
描述
Fast Page DRAM, 16MX1, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

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M5M416100BTP-5ST 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	26
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M416100BTP-6ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
M5M416100BTP-6T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
M5M416100CJ-6	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-26/24
M5M416100J-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
M5M416100J-7T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
M5M416100J-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
M5M416100RT-7T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
M5M416160BJ-6ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
M5M416160BJ-8ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
M5M416160BRT-6T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44