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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 77K |  |
| 描述 | ||
| EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | ||
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.26 |
| 最长访问时间： | 200 ns | 其他特性： | PAGE WRITE |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 36.7 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 页面大小： | 32 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.5 mm | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 宽度： | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M5M28F016VP-10 | MITSUBISHI | Flash, 2MX8, 100ns, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| M5M28F101AFP | MITSUBISHI | 1048576-BIT (131072-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY |
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|
| M5M28F101AFP-10 | MITSUBISHI | Flash, 128KX8, 100ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| M5M28F101AFP-12 | MITSUBISHI | Flash, 128KX8, 120ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| M5M28F101AJ-12 | MITSUBISHI | Flash, 128KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| M5M28F101AJ-85 | MITSUBISHI | Flash, 128KX8, 85ns, PQCC32, 0.450 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, MO-052AE,LCC-32 |
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