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M58WR032FT80ZB6E PDF预览

M58WR032FT80ZB6E

更新时间： 2025-07-27 21:55:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
86页 1303K
描述
32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory

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M58WR032FT80ZB6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.28Is Samacsys：N
最长访问时间：80 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B56JESD-609代码：e1
长度：9 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,63
端子数量：56字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA56,7X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8,1.8/2 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.045 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：7.7 mmBase Number Matches：1

M58WR032FT80ZB6E 数据手册

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M58WR032FT  
M58WR032FB  
32 Mbit (2Mb x16, Multiple Bank, Burst)  
1.8V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Package  
–
VDD = 1.7V to 2V for Program, Erase and  
Read  
–
–
VDDQ = 1.7V to 2.24V for I/O Buffers  
VPP = 12V for fast Program (optional)  
■
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
–
–
Synchronous Burst Read mode: 66MHz  
Asynchronous/ Synchronous Page Read  
mode  
FBGA  
–
Random Access: 60ns, 70ns, 80ns  
■
■
SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND  
PROGRAMMING TIME  
–
8µs by Word typical for Fast Factory  
Program  
Double/Quadruple Word Program option  
Enhanced Factory Program options  
VFBGA56 (ZB)  
7.7 x 9 mm  
–
–
■
■
MEMORY BLOCKS  
–
Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit  
Banks  
■
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
Parameter Blocks (Top or Bottom  
location)  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Codes:  
M58WR032FT (Top): 8814h  
M58WR032FB (Bottom): 8815h  
DUAL OPERATIONS  
–
Program Erase in one Bank while Read in  
others  
PACKAGE  
–
No delay between Read and Write  
operations  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
■
■
BLOCK LOCKING  
–
Lead-Free Versions  
–
–
–
All blocks locked at Power up  
Any combination of blocks can be locked  
WP for Block Lock-Down  
SECURITY  
–
–
128 bit user programmable OTP cells  
64 bit unique device number  
■
■
COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
November 2004  
1/86  
1234567...86

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与M58WR032FT80ZB6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58WR032FT80ZB6F STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M58WR032FT80ZB6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M58WR032KB70ZB6E NUMONYX

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 		Flash, 2MX16, 70ns, PBGA56, 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-56
M58WR032KB70ZB6E MICRON

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 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR032KB70ZB6F MICRON

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 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR032KB7AZB6E MICRON

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 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR032KL STMICROELECTRONICS

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 		16- or 32-Mbit (】16, Mux I/O, Multiple Bank,
M58WR032KL NUMONYX

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 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR032KL60ZA6E STMICROELECTRONICS

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