Datasheet > M471B6474DZ1-CG8

M471B6474DZ1-CG8

更新时间： 2024-02-16 01:27:04

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	523K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-204

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M471B6474DZ1-CG8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DMA
包装说明：	DIMM,	针数：	204
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N204	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	204	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M471B6474DZ1-CG8 数据手册

Unbuffered SoDIMM

DDR3 SDRAM

1.0 DDR3 Unbuffered SoDIMM Ordering Information

Number of

Height

Part Number

Density

Organization

Component Composition

Rank

M471B6474DZ1-CF7/F8/G8/H9

M471B2874DZ1-CF7/F8/G8/H9

M471B5673DZ1-CF7/F8/G8/H9

* ## : F7 / F8 / G8 / H9

512MB

1GB

2GB

64Mx64

128Mx64

256Mx64

64Mx16(K4B1G1646D-HC##)*4

64Mx16(K4B1G1646D-HC##)*8

128Mx8(K4B1G0846D-HC##)*16

30mm

2.0 Key Features

DDR3-800

DDR3-1066

DDR3-1333

Speed

Unit

6-6-6

2.5

7-7-7

8-8-8

9-9-9

1.5

tCK(min)

CAS Latency

tRCD(min)

tRP(min)

1.875

tCK

13.125

37.5

13.5

tRAS(min)

tRC(min)

37.5

52.5

37.5

52.5

50.625

49.5

•

JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply

VDDQ = 1.5V ± 0.075V

400 MHz f_CKfor 800Mb/sec/pin, 533MHz f_CKfor 1066Mb/sec/pin, 667MHz f_CKfor 1333Mb/sec/pin

8 independent internal bank

Programmable CAS Latency: 6,7,8,9

Programmable Additive Latency(Posted CAS) : 0, CL - 2, or CL - 1 clock

Programmable CAS Write Latency(CWL) = 5(DDR3-800), 6(DDR3-1066), 7(DDR3-1333)

8-bit pre-fetch

Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or

write [either On the fly using A12 or MRS]

•

Bi-directional Differential Data Strobe

Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)

On Die Termination using ODT pin

Average Refresh Period 7.8us at lower then T_CASE85°C, 3.9us at 85°C < T_CASE≤ 95°C

•

Asynchronous Reset

3.0 Address Configuration

Organization

Row Address

A0-A12

Column Address

A0-A9

Bank Address

BA0-BA2

Auto Precharge

A10/AP

64x16(1Gb) based Module

128x8(1Gb) based Module

A0-A13

A0-A9

BA0-BA2

A10/AP

4 of 31

Rev. 0.5 November 2007

1 2 345 6 7...31

下载PDF

与M471B6474DZ1-CG8相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M471B6474DZ1-CH9	SAMSUNG	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-204	获取价格
M-476	LITTELFUSE	Littelfuse Push Pull Switches are designed for universal applications within harsh environ	获取价格
M-476-BP	LITTELFUSE	Littelfuse Push Pull Switches are designed for universal applications within harsh environ	获取价格
M-476-BX	LITTELFUSE	本产品不推荐在新设计中使用。 Littelfuse Push Pull Switches	获取价格
M47E-006.4M	CONNOR-WINFIELD	Clipped Sine Output Oscillator, 6.4MHz Nom, ROHS COMPLIANT, SUB MINIATURE, CERAMIC PACKAGE	获取价格
M47E-009.72M	CONNOR-WINFIELD	Clipped Sine Output Oscillator, 9.72MHz Nom, ROHS COMPLIANT, SUB MINIATURE, CERAMIC PACKAG	获取价格

与M471B6474DZ1-CG8相关文章

SG3525资料手册详解：SG3525参数分析、引脚说明、应用介绍
2024-05-23

5
AT89C51单片机资料手册详细解析及应用示例
2024-05-23

8
CP2102资料手册解读：CP2102引脚说明、关键参数分析
2024-05-23

4
资料手册解读：UC3842参数和管脚说明
2024-05-22

6

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M471B6474DZ1-CG8

M471B6474DZ1-CG8 技术参数

M471B6474DZ1-CG8 数据手册

与M471B6474DZ1-CG8相关器件

与M471B6474DZ1-CG8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M471B6474DZ1-CG8

M471B6474DZ1-CG8 技术参数

M471B6474DZ1-CG8 数据手册

与M471B6474DZ1-CG8相关器件

与M471B6474DZ1-CG8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？