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M40SZ100WMH6E

更新时间： 2024-02-26 19:12:44

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		电源电路电源管理电路静态存储器光电二极管
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24页	439K
描述
5 V or 3 V NVRAM supervisor for LPSRAM

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M40SZ100WMH6E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	PLASTIC, SOIC-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	可调阈值：	NO
模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	18.1 mm
信道数量：	1	功能数量：	1
端子数量：	28	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP28,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.05 mm
子类别：	Power Management Circuits	最大供电电流 (Isup)：	0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.56 mm
Base Number Matches：	1

M40SZ100WMH6E 数据手册

M40SZ100Y

M40SZ100W

5 V or 3 V NVRAM supervisor for LPSRAM

Features

■ Convert low power SRAMs into NVRAMs

■ 5 V or 3 V operating voltage

■ Precision power monitoring and power

switching circuitry

■ Automatic write-protection when V is out-of-

tolerance

SO16 (MQ)

■ Choice of supply voltages and power-fail

deselect voltages:

– M40SZ100Y: V = 4.5 to 5.5 V;

4.20 V ≤ V

≤ 4.50 V

PFD

(contact local ST sales office for

availability)

SNAPHAT (SH) battery

– M40SZ100W: V = 2.7 to 3.6 V;

2.55 V ≤ V

≤ 2.70 V

PFD

■ Reset output (RST) for power on reset

■ 1.25 V reference (for PFI/PFO)

■ Less than 10 ns chip enable access

propagation delay (at 5 V)

■ Optional packaging includes a 28-lead SOIC

and SNAPHAT top (to be ordered separately)

■ 28-lead SOIC package provides direct

connection for a SNAPHAT top which contains

the battery (contact local ST sales office for

availability)

SOH28 (MH)

■ Battery low pin (BL)

■ RoHS compliant

– Lead-free second level interconnect

October 2010

Doc ID 7528 Rev 3

1/24

www.st.com

12 3 4 5 6 7...24

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