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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM, |
| 针数： | 240 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.5 ns |
| 其他特性： | SELF CONTAINED REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N240 |
| 内存密度： | 4831838208 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 240 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 64MX72 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 230 | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M393T6553BG0-LE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.45ns, CMOS, DIMM-240 |
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| M393T6553BG3-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.6ns, CMOS, DIMM-240 |
|
| M393T6553BG3-CD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.5ns, CMOS, DIMM-240 |
|
| M393T6553BG3-CD5/CC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 512Mb B-die 72-bit ECC |
|
| M393T6553BZ0-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.6ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-240 |
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| M393T6553BZ0-CD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.5ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-240 |
|
| M393T6553BZ0-CD5/CC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 512Mb B-die 72-bit ECC |
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| M393T6553BZ3-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.6ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-240 |
|
| M393T6553BZ3-CD5/CC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 512Mb B-die 72-bit ECC |
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| M393T6553CZ0-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240 |
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Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
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