Datasheet > M381L3223ETM-A2

M381L3223ETM-A2

更新时间： 2022-12-13 12:02:48

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
22页	378K
描述
DDR SDRAM Unbuffered Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M381L3223ETM-A2 数据手册

256MB, 512MB Unbuffered DIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM IDD spec table

M368L3223ETN [ (32M x 8) * 8, 256MB Non ECC Module ]

(V_DD=2.7V, T = 10°C)

Symbol

IDD0

B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2) A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5) Unit

Notes

720

920

720

920

640

840

640

840

IDD1

IDD2P

IDD2F

IDD2Q

IDD3P

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

200

160

280

440

1,280

1,360

160

150

240

360

1,120

1,080

1,280

160

150

240

360

1,120

1,080

1,280

160

150

240

360

1,120

1,080

1,280

IDD6

Normal

Low power

IDD7A

Optional

2,240

2,000

* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.

M381L3223ETM [ (32M x 8) * 9, 256MB ECC Module ]

(V_DD=2.7V, T = 10°C)

Symbol

B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2) A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5) Unit

Notes

IDD0

IDD1

810

1,040

810

1,040

720

950

720

950

IDD2P

IDD2F

IDD2Q

IDD3P

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

230

180

170

270

410

1260

1,220

1,440

180

170

270

410

1,260

1,220

1,440

180

170

320

270

500

410

1,440

1,530

1260

1,220

1,440

IDD6

Normal

Low power

IDD7A

Optional

2,520

2,250

* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.

Rev. 1.1 August. 2003

1...7 8 91011 12 13...22

中文翻译

下载PDF

与M381L3223ETM-A2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M381L3223ETM-AA	SAMSUNG	DDR SDRAM Unbuffered Module	获取价格
M381L3223ETM-B0	SAMSUNG	DDR SDRAM Unbuffered Module	获取价格
M381L3223ETM-CB3	SAMSUNG	DDR SDRAM Unbuffered Module	获取价格
M381L3223ETM-CC5	SAMSUNG	184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC	获取价格
M381L3223ETM-CCC4	SAMSUNG	DDR SDRAM Unbuffered Module	获取价格
M381L3223ETM-CLB3	SAMSUNG	DDR SDRAM Unbuffered Module	获取价格