5秒后页面跳转
M372F3200AB3-C600 PDF预览

M372F3200AB3-C600

更新时间: 2024-09-25 04:45:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 964K
描述
DRAM, 32MX72, 60ns, CMOS, PDMA168

M372F3200AB3-C600 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.4
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168内存密度:2415919104 bit
内存宽度:72端子数量:168
字数:33554432 words字数代码:32000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:41.91 mm最大待机电流:0.03 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:2.62 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M372F3200AB3-C600 数据手册

 浏览型号M372F3200AB3-C600的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M372F3200AB3-C600的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M372F3200AB3-C600的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M372F3200AB3-C600的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M372F3200AB3-C600的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M372F3200AB3-C600的Datasheet PDF文件第7页 

与M372F3200AB3-C600相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M372F3200BB4-C500 SAMSUNG

获取价格

DRAM, 32MX72, 50ns, CMOS, PDMA168
M372F3200BB4-C600 SAMSUNG

获取价格

DRAM, 32MX72, 60ns, CMOS, PDMA168
M372F3200BF1-C500 SAMSUNG

获取价格

DRAM, 32MX72, 50ns, CMOS, PDMA168
M372F3200BF1-C600 SAMSUNG

获取价格

DRAM, 32MX72, 60ns, CMOS, PDMA168
M372F3200CJ3-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372F3200CJ4-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372F3200CT1-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372F3200CT1-C60 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372F3200DJ3-C SAMSUNG

获取价格

32M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 16Mx4, 4K & 8K Refresh, 3.3V
M372F3200DJ3-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168