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M366S1623DT0-C7A

更新时间： 2024-02-03 04:27:31

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器 PC
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10页	156K
描述
PC133 Unbuffered DIMM

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M366S1623DT0-C7A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

M366S1623DT0-C7A 数据手册

M366S1623DT0

PC133 Unbuffered DIMM

DC CHARACTERISTICS

(Recommended operating condition unless otherwise noted, TA = 0 to 70°C)

Version

Parameter

Symbol

Test Condition

Unit Note

-7A

tCC=7.5ns

tCC=10ns

Burst length =1

tRC ³ tRC(min)

IO = 0 mA

Operating current

(one Bank Active)

ICC1

800

760

ICC2P

CKE £ VIL(max), tCC = 10ns

Precharge standby current in

power-down mode

ICC2PS CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥

CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns

ICC2N

240

Input signals are changed one time during 20ns

Precharge standby current in

non power-down mode

CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥

ICC2NS

Input signals are stable

ICC3P

CKE £ VIL(max), tCC = 10ns

Active standby current in

power-down mode

ICC3PS CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥

CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns

ICC3N

400

240

Active standby current in

non power-down mode

(One bank active)

Input signals are changed one time during 20ns

CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥

ICC3NS

Input signals are stable

IO = 0 mA

Operating current

(Burst mode)

Page burst

4Banks activated

tCCD = 2CLKs

ICC4

1,120

1,280

960

Refresh current

ICC5

ICC6

tRC ³ tRC(min)

CKE £ 0.2V

1,200

Self refresh current

Notes :

1. Measured with outputs open.

2. Refresh period is 64ms.

3. Unless otherwise noticed, input swing level is CMOS(VIH/VIL=VDDQ/VSSQ).

REV. 0.0 July, 2000

1...3 4 567 8 9 10

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