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M366S1623DT0-C7A

更新时间： 2024-02-28 15:37:36

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器 PC
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10页	156K
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PC133 Unbuffered DIMM

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M366S1623DT0-C7A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

M366S1623DT0-C7A 数据手册

M366S1623DT0

PC133 Unbuffered DIMM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Voltage on any pin relative to Vss

Voltage on VDD supply relative to Vss

Storage temperature

Symbol

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

TSTG

Value

-1.0 ~ 4.6

-55 ~ +150

Unit

°C

Power dissipation

Short circuit current

IOS

Note :

Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.

Functional operation should be restricted to recommended operating condition.

Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.

DC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS

Recommended operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, TA = 0 to 70°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

VDD, VDDQ

VIH

Min

3.0

2.0

-0.3

2.4

Typ

Max

Unit

Note

3.3

3.6

Input logic high voltage

Input logic low voltage

Output logic high voltage

Output logic low voltage

Input leakage current

3.0

VDDQ+0.3

VIL

0.8

VOH

IOH = -2mA

IOL = 2mA

VOL

0.4

ILI

-10

Note :

1. VIH (max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is £ 3ns.

2. VIL (min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.

3. Any input 0V £ VIN £ VDDQ.

Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.

CAPACITANCE (VDD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, VREF = 1.4V ± 200 mV)

Symbol

Min

Max

Unit

Address (A0 ~ A11, BA0 ~ BA1)

RAS, CAS, WE

CADD

CIN

CKE (CKE0 ~ CKE1)

Clock (CLK0 ~ CLK3)

CS (CS0, CS2)

CCKE

CCLK

CCS

DQM (DQM0 ~ DQM7)

DQ (DQ0 ~ DQ63)

CDQM

COUT

REV. 0.0 July, 2000

1 2 3 456 7 8...10

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