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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, | 针数： | 184 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.75 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 内存密度： | 38654705664 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 184 | 字数： | 536870912 words |
| 字数代码： | 512000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512MX72 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M312L6523BZ0-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
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| M312L6523BZ0-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
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| M312L6523CUS-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
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| M312L6523CZ0-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 |
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| M312L6523CZ3-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
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| M312L6523CZ3-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
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| M312L6523DUS-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
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| M312L6523DUS-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
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| M312L6523DZ3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Product Guide |
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| M312L6523DZ3-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
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