是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM184 |
针数: | 184 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.75 | 访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.65 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 | 内存密度: | 4831838208 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE | 内存宽度: | 72 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM184 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.6 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.42 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 4.22 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.6 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M312L6523DUS-CA2 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 | |
M312L6523DUS-CB0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 | |
M312L6523DZ3 | SAMSUNG |
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DDR SDRAM Product Guide | |
M312L6523DZ3-CB3 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 | |
M312L6523DZ3-CCC | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 | |
M312L6523FH3-CB3 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-184 | |
M312-SERIES | ETC |
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Peripheral IC | |
M3130 | MTRONPTI |
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5x7 mm, 3.3/2.5/1.8 Volt, LVPECL/LVDS/CML/HCMOS Output | |
M31302AGC2N | MTRONPTI |
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Multiple Frequency VCXO 5x7 mm, 3.3/2.5/1.8 Volt, LVPECL/LVDS/CML/HCMOS Output | |
M31302AGC2N-10.0000MHZ | MTRONPTI |
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HCMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Nom, ROHS COMPLIANT, LEADLESS PACKAGE-9 |