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M312L6523CZ3-CB3

更新时间： 2024-01-31 09:01:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	769K
描述
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184

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M312L6523CZ3-CB3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.75	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.42 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	3.99 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

M312L6523CZ3-CB3 数据手册

512MB, 1GB, 2GB Registered DIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM Registered Module

184pin Registered Module based on 512Mb C-die

with 72-bit ECC

66 TSOP-II and 60 ball FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 March 2006

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