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M29W800DXT70N6T PDF预览

M29W800DXT70N6T

更新时间： 2024-10-01 19:44:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
41页 662K
描述
512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29W800DXT70N6T 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.29Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29W800DXT70N6T 数据手册

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M29W800DXT  
M29W800DXB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
OBSOLETE  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
■ ACCESS TIME: 45, 55, 70ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
■ 19 MEMORY BLOCKS  
SO44 (M)  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 16 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithms  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
FBGA  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
TFBGA48 (ZA)  
8 x 6 ball array  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29W800DXT: 22D7h  
– Bottom Device Code M29W800DXB: 225Bh  
November 2003  
1/41  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800FB70N3E MICRON

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 		4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16); 8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Mem
M29W800FB70N3F MICRON

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 		4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16); 8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Mem
M29W800FB70ZA3SE MICRON

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 		4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16); 8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Mem
M29W800FB70ZA3SF MICRON

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 		4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16); 8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Mem
M29W800FB7AN6F MICRON

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 		4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16); 8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Mem
M29W800FB7AZA6F MICRON

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 		4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16); 8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Mem
M29W800FB9D11 NUMONYX

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 		Known good die, 8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16), boot block, 3 V supply Flash memory
M29W800FB-KGD NUMONYX

获取价格

 		Known good die, 8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16), boot block, 3 V supply Flash memory
M29W800FT70N3E MICRON

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 		4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16); 8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Mem
M29W800FT70N3F MICRON

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 		4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16); 8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Mem

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