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M29F002T-120XN6TR

更新时间： 2024-02-24 09:24:35
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 233K
描述
Flash, 256KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

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M29F002T-120XN6TR 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.19
最长访问时间：120 ns其他特性：20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT BLOCK
启动块：TOP数据保留时间-最小值：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：18.4 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M29F002T-120XN6TR 数据手册

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M29F002T, M29F002NT  
M29F002B  
2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory  
NOT FOR NEW DESIGN  
M29F002T, M29F002NT and M29F002B are  
replaced respectively by the M29F002BT,  
M29F002BNT and M29F002BB.  
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
FAST ACCESS TIME: 70ns  
32  
FAST PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
1
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte  
PLCC32 (K)  
PDIP32 (P)  
– Status Register bits  
MEMORY BLOCKS  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-by and Automatic Stand-by  
Figure 1. Logic Diagram  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
V
CC  
18  
8
– Device Code, M29F002T: B0h  
– Device Code, M29F002NT: B0h  
– Device Code, M29F002B: 34h  
A0-A17  
DQ0-DQ7  
W
M29F002T  
M29F002B  
M29F002NT  
E
G
DESCRIPTION  
The M29F002 is a non-volatile memory thatmay be  
erased electrically at the block or chip level and  
programmed in-system on a Byte-by-Byte basis  
using only a single 5V VCC supply.For Program and  
Erase operations the necessary high voltages are  
generated internally. The device can also be pro-  
grammed in standard programmers.  
The array matrix organisation allows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protected against pro-  
graming and erase on programming equipment,  
and temporarily unprotected to make changes in  
(*) RPNC  
V
SS  
AI02078C  
Note: * RPNC function is not available for the M29F002NT  
July 2000  
1/29  
This is information on a product still in production but not recommended for new design.  
1234567...29

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与M29F002T-120XN6TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F002T-120XP1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002T-120XP6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002T-70K1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002T-70K1TR NUMONYX

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 		Flash, 256KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M29F002T-70K6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M29F002T-70K6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
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 		Flash, 256KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
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