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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W201-80K6TR
M27W201-80K6TR PDF预览

M27W201-80K6TR

更新时间： 2024-01-21 01:12:52
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 173K
描述
2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W201-80K6TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最长访问时间：80 ns其他特性：ACCESS TIME 70 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

M27W201-80K6TR 数据手册

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M27W201  
(1)  
Table 9. Programming Mode DC Characteristics  
(T = 25 °C; V = 6.25V ± 0.25V; V = 12.75V ± 0.25V)  
A
CC  
PP  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min  
Max  
±10  
50  
Unit  
µA  
mA  
mA  
V
I
LI  
0 ≤ V ≤ V  
Input Leakage Current  
Supply Current  
IN  
CC  
I
CC  
I
PP  
E = V  
Program Current  
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
Output Low Voltage  
Output High Voltage TTL  
A9 Voltage  
50  
IL  
V
–0.3  
2
0.8  
IL  
V
V
+ 0.5  
V
IH  
CC  
V
I
OL  
= 2.1mA  
0.4  
V
OL  
V
I
= –400µA  
2.4  
V
OH  
OH  
V
11.5  
12.5  
V
ID  
Note: 1. V must be applied simultaneously with or before V and removed simultaneously or after V .  
PP  
CC  
PP  
(1)  
Table 10. Programming Mode AC Characteristics  
(T = 25 °C; V = 6.25V ± 0.25V; V = 12.75V ± 0.25V)  
A
CC  
PP  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Test Condition  
Min  
Max  
Unit  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
ns  
t
t
t
t
Address Valid to Program Low  
Input Valid to Program Low  
2
2
AVPL  
AS  
QVPL  
DS  
t
t
t
t
t
V
V
High to Program Low  
High to Program Low  
2
VPHPL  
VPS  
VCS  
CES  
PP  
CC  
2
VCHPL  
t
Chip Enable Low to Program Low  
Program Pulse Width  
2
ELPL  
t
t
PW  
95  
2
105  
PLPH  
t
t
DH  
Program High to Input Transition  
Input Transition to Output Enable Low  
Output Enable Low to Output Valid  
Output Enable High to Output Hi-Z  
PHQX  
t
t
2
QXGL  
GLQV  
OES  
t
t
100  
130  
OE  
(2)  
t
0
0
ns  
ns  
t
DFP  
GHQZ  
Output Enable High to Address  
Transition  
t
t
GHAX  
AH  
Note: 1. V must be applied simultaneously with or before V and removed simultaneously or after V .  
PP  
CC  
PP  
2. Sampled only, not 100% tested.  
Programming  
ming '0's into the desired bit locations. Although  
only '0's will be programmed, both '1's and '0's can  
be present in the data word. The only way to  
change a ‘0’ to a ‘1’ is by die exposure to ultraviolet  
light (UV EPROM). The M27W201 is in the pro-  
The M27W201 has been designed to be fully com-  
patible with the M27C2001 and has the same elec-  
tronic signature. As a result the M27W201 can be  
programmed as the M27C2001 on the same pro-  
gramming mode when V input is at 12.75V, E is  
PP  
gramming equipment applying 12.75V on V and  
PP  
at V and P is pulsed to V . The data to be pro-  
IL  
IL  
6.25V on V  
algorithm.  
by the use of the same PRESTO II  
CC  
grammed is applied to 8 bits in parallel to the data  
output pins. The levels required for the address  
When delivered (and after each ‘1’s erasure for UV  
EPROM), all bits of the M27W201 are in the '1'  
state.Data is introduced by selectively program-  
and data inputs are TTL. V  
6.25V ± 0.25V.  
is specified to be  
CC  
7/16  
1...45678910...16

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M27W201-80K6TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M27W201-80K6 STMICROELECTRONICS

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 256KX8 OTPROM, 80ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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M27W201-80N6 STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 OTPROM, 80ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
M27W201-80N6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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 		2 Mbit 128Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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