Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27C512-20XB1

M27C512-20XB1

更新时间： 2024-01-07 16:00:29

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM

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M27C512-20XB1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	200 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	36.83 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M27C512-20XB1 数据手册

M27C512

512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM

FEATURES SUMMARY

■

5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE in READ

OPERATION

Figure 1. Packages

■

ACCESS TIME: 45ns

LOW POWER “CMOS” CONSUMPTION:

–

Active Current 30mA

Standby Current 100µA

■

PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V

PROGRAMMING TIMES of AROUND 6sec.

ELECTRONIC SIGNATURE

FDIP28W (F)

–

Manufacturer Code: 20h

Device Code: 3Dh

■

PACKAGES

Lead-Free Versions

–

PDIP28 (B)

PLCC32 (C)

TSOP28 (N)

8 x 13.4 mm

November 2004

1/22

12 3 4 5 6 7...22

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